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전극; 금속산화물을 포함하는 전자 전달체; 상기 전자 전달체와 접하며 태양광을 흡수하여 광전자-광정공쌍을 생성하는 무기 반도체를 포함하는 광흡수체; 정공 완충층; 전해질; 및 대전극을 포함하며, 상기 전극, 광흡수체가 형성된 전자전달체, 정공 완충층, 전해질 및 대전극이 순차적으로 적층된 광전소자
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제1항에 있어서,상기 정공완충층은 광 흡수체 및 전자 전달체 표면의 일부 및 전부를 도포한 것인 광전소자
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제 2항에 있어서,상기 정공완충층은 하기 화학식의 화합물 단위를 포함하는 것인 광전소자
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제2항에 있어서,상기 정공완충층은 P3HT (poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3’,7’- dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV (poly[2-methoxy -5-(2’'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octyl thiophene)), PPV (poly(p-phenylene vinylene)),TFB (poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenyl amine),POT( poly(octyl thiophene)), PEDOT (Poly(3,4-ethylenedioxy thiophene)),PCPDTBT(Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]]), PCDTBT(Poly[[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]), 및 이들의 혼합물에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질인 광전소자
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제2항에 있어서,상기 광흡수체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe, MgSe 및 이들의 혼합물 또는 이들의 복합물에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 것인 광전소자
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제2항에 있어서,상기 전자전달체는 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, 및 SrTi산화물, 이들의 혼합물 및 이들의 복합물 중에서 선택되는 하나 또는 2 이상의 광전소자
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제 2항에 있어서,상기 전해질은 요드계 (iodide), 브롬계 (bromide), 폴리 설파이드계 (poly sulfide), 코발트계 (cobalt(II)/cobalt(III) couple), 니켈계 (Ni(III)/Ni(IV) couple)에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것인 광전소자
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