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나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139074
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 전자빔 조사 및 어닐링 공정에 의해 메모리 특성을 향상키는데 있다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판 준비 단계와, 터널링층 형성 단계와, 전하 저장층 형성 단계와, 제어층 형성 단계로 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 있어서, 제어층의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계 및/또는 어닐링 단계가 더 포함된 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020080051047 (2008.05.30)
출원인 홍익대학교 산학협력단, 한국원자력연구원, 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0997040-0000 (2010.11.22)
공개번호/일자 10-2009-0124693 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
3 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진하 대한민국 서울특별시 마포구
2 이홍경 대한민국 서울특별시 마포구
3 이준영 대한민국 서울특별시 마포구
4 한영환 대한민국 대전광역시 유성구
5 이병철 대한민국 대전광역시 유성구
6 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
7 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
8 김창균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
3 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0390884-04
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0073286-02
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0481255-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011331-46
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0081742-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0267039-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0267040-93
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0362408-99
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0677985-63
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0677982-26
13 등록결정서
Decision to grant
2010.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0486350-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 증착 반응기의 내부에 반도체 기판을 도입하는 반도체 기판 도입 단계; 상기 반도체 기판 위에 알루미늄 원자 및 산소 원자를 공급하여 터널링층을 형성하는 터널링층 형성 단계; 상기 터널링층 위에 니켈 원자 및 산소 원자를 공급하여 전하 저장층을 형성하는 전하 저장층 형성 단계; 상기 전하 저장층의 표면에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 전하 저장층 위에 알루미늄 원자 및 산소 원자를 공급하여 제어층을 형성하는 제어층 형성 단계; 및, 상기 제어층의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계를 포함하고, 상기 제어층의 전자빔 조사후 100~300℃의 온도에서 어닐링하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제어층의 표면에 전자빔을 조사하는 단계는 전자빔의 에너지가 200~400keV이고, 전자빔의 조사량이 1~150kGy인 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
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삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장층의 표면에 전자빔을 조사하는 단계는 전자빔의 에너지가 200~400keV이고, 전자빔의 조사량이 1~150kGy인 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.