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1
하기 화학식 (I) 의 화합물:
(I)
[식 중, R' 은 메틸 또는 에틸기임]
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2
산 촉매의 존재하에, 하기 화학식 (II) 의 파라-디옥사논:
(II)
과 하기 화학식 (III) 의 화합물:
(III)
[식 중, R' 은 메틸 또는 에틸기임],
을 반응시키는 단계를 포함하는, 제 1 항에 기재된 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법
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3
산 촉매의 존재하에, 하기 단계를 포함하는, 제 1 항에 기재된 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법:
(1) 하기 화학식 (III) 의 화합물의 존재하에:
(III)
[식 중, R' 은 메틸 또는 에틸기임],
하기 화학식 (II) 의 파라-디옥사논:
(II)
과 메탄올 또는 에탄올을 반응시켜, 제 1 항에 기재된 화학식 (I) 의 화합물과 하기 화학식 (IV) 의 화합물의 혼합물을 수득하는 단계:
(IV)
[식 중, R' 은 메틸 또는 에틸기임];
(2) 상기 (1) 단계에서 수득된 용액에서 상기 화학식 (IV) 의 화합물의 하이드록시기와 이소부틸렌을 반응시켜 상기 화학식 (I) 의 화합물로 전환시키는 단계
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4
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 파라-디옥사논에 대한 화학식 (III) 의 화합물의 몰비가 1 ~ 10 인 제조 방법
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5
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 이소부틸렌, 메탄올 및 에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 공급하는 단계를 추가로 포함하는 제조 방법
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6
제 5 항에 있어서, 파라-디옥사논에 대한 추가로 공급하는 메탄올 또는 에탄올의 몰비가 0
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7
제 5 항에 있어서, 파라-디옥사논에 대한 추가로 공급하는 이소부틸렌의 몰비가 0
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8
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 산 촉매가 황산, 파라 톨루엔-설폰산, 헤테로 폴리산, 설폰산기가 도입된 강산성 이온교환수지 및 제올라이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산 촉매인 제조 방법
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9
제 8 항에 있어서, 설폰산기가 도입된 강산성 이온교환수지 촉매를 사용하는 제조 방법
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10
제 8 항에 있어서, 상기 헤테로 폴리산이 PMo12 또는 PW12 이거나, 상기 제올라이트가 H-ZSM-5 인 제조 방법
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11
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 반응 온도는 상온 내지 100℃ 인 제조 방법
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12
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 반응 압력은 상압 내지 30 기압인 제조 방법
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13
제 1 항에 따른 화합물을 포함하는, 반도체 또는 LCD 의 제조에 있어서 웨이퍼 표면의 포토레지스트 막을 박리하기 위한 박리제
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14
제 1 항에 따른 화합물을 포함하는, 잉크 또는 페인트에 사용되는 용제
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15
제 1 항에 따른 화합물과 암모니아, 모노알킬아민, 디알킬아민, 디아민, 트리아민 및 테트라아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 반응시킴으로서 수득되는 아미드 화합물의 제조 방법
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