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형광체 및 이를 이용한 발광소자

  • 기술번호 : KST2015139150
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 400 ~ 480nm영역에 발광 스펙트럼의 주피크를 가진 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 600nm 영역에 주피크를 갖는 Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+ x (0<x<1, 0 ≤y≤1, 0 ≤z≤1)의 화학식을 갖는 발광소자의 몰드 물질에 포함되는 것을 특징으로 하는 형광체 및 상기 형광체를 이용한 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 보다 낮은 색온도 및 높은 연색성지수를 갖는 백색 발광 다이오드를 제공할 수 있으며, 또한 본 발명에 따른 실리케이트계 형광체에 포함되는 활성제의 농도를 변화시킴으로써 발광 휘도 감소 없이 발광 주피크를 변화시킴으로써 색좌표 및 색온도, 연색성 지수의 제어를 가능하게 한다. 형광체, 발광소자, 백색 발광다이오드
Int. CL H01L 33/50 (2014.01)
CPC C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01)
출원번호/일자 1020040083187 (2004.10.18)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0034055 (2006.04.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.18)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창해 대한민국 대전광역시 유성구
2 박정규 대한민국 대전광역시 유성구
3 김상기 대한민국 광주광역시 광산구
4 김충열 대한민국 광주 북구
5 최경재 대한민국 충남 당진군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0472306-99
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0408316-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0178673-26
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
6 의견서
Written Opinion
2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0380898-84
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0537966-75
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2006.11.17 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2006-0038750-43
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2006.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0721523-80
10 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2006.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0721522-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 반려 (Return) 1-1-2009-0191784-14
15 일부반려안내문
Notification of Partial Return
2009.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0021966-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
1 1
Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+ x (0<x<1, 0 ≤y≤1, 0 ≤z≤1)의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
2 2
제 1항에 있어서, 상기 형광체는, 평균입자의 크기가 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광체
3 3
제 1항에 있어서, 상기 형광체는, 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 600nm 영역에 주피크를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
4 4
제 1항에 있어서, 상기 형광체는, 400 ~ 480nm 영역에 주피크를 갖는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 600nm 영역에 발광 주피크를 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
5 5
제 1항에 있어서, 상기 형광체는 Eu2+의 농도에 따라 발광 주피크가 변화되는 것을 특징으로 하는 형광체
6 6
제 1항에 있어서, 상기 Eu2+의 농도는 0
7 7
광을 내는 광원, 상기 광원을 지지하는 기판(substrate), 상기 광원 주위를 몰딩한 몰딩부재를 포함하는 발광소자에 있어서, 상기 몰딩부재에는 Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+ x (0<x<1, 0 ≤y≤1, 0 ≤z≤1)의 화학식을 갖는 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광소자
8 8
광을 내는 광원, 상기 광원을 지지하는 기판(substrate), 상기 광원 주위를 몰딩한 몰딩부재를 포함하는 발광소자에 있어서, 상기 다중구조의 몰딩부재 중 적어도 어느 하나의 몰딩부재에는 Sr4-xMgyBazSi2O8:Eu2+ x (0<x<1, 0 ≤y≤1, 0 ≤z≤1)의 화학식을 갖는 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광소자
9 9
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 Eu2+의 농도는 0
10 10
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 몰딩부재는 광투과 에폭시 수지 또는 광투과 실리콘 수지인 것을 특징으로 하는 발광소자
11 11
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 몰딩부재와 형광체의 혼합 중량비율은 5 ~ 50wt%인 것을 특징으로 하는 발광소자
12 12
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 몰딩부재는 상기 발광소자 주위를 전체 또는 부분적으로 몰딩한 것을 특징으로 하는 발광소자
13 13
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 발광소자는 백색 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광소자
14 13
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 발광소자는 백색 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 발광소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01803162 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01803162 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP20517458 JP 일본 FAMILY
4 US07646141 US 미국 FAMILY
5 US20070080363 US 미국 FAMILY
6 WO2006043747 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1898811 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1898811 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1803162 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1803162 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1803162 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2008517458 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2008517458 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2008517458 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 US2007080363 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US7646141 US 미국 DOCDBFAMILY
11 WO2006043747 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.