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실리콘 아미노알콕사이드 화합물 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015139216
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 새로운 실리콘 화합물은 열적으로 안정하고, 공기 중에서도 안정하며, 휘발성이 향상되어 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다.[화학식 1]Si(OCR1R2CH2NR32)4상기 식에서, R1, R2 및 R3는 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬이다.실리콘 화합물
Int. CL C07F 7/18 (2006.01) C07F 7/10 (2006.01)
CPC C07F 7/081(2013.01) C07F 7/081(2013.01) C07F 7/081(2013.01) C07F 7/081(2013.01)
출원번호/일자 1020050014105 (2005.02.21)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0093391 (2006.08.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 포기
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영국 대한민국 대전 유성구
2 정택모 대한민국 대전 유성구
3 김창균 대한민국 대전 유성구
4 박미현 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.02.21 포기 (Abandonment) 1-1-2005-0090105-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0013977-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0316461-58
5 의견서
Written Opinion
2006.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0485390-87
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0485448-36
7 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination
2006.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0545027-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0752498-41
9 출원포기서
Abandonment of Application
2007.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0097358-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 화합물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 식에서 R1, R2 및 R3가 독립적으로 CH3, C2H5 또는 CH(CH3)2 인 것을 특징으로 하는 실리콘 화합물
3 3
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 포함하는 제 1 항에 따른 화학식 1의 실리콘 화합물을 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 화학식 2 및 화학식 3의 화합물 당량비로 극성 용매에 녹여 실온에서 치환 반응을 시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘 화합물의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 따른 실리콘화합물을 사용하여 고온에서 휘발시켜 실리콘 혹은 실리콘 산화물을 성장시키는 방법
6 6
제 4항에 있어서, 실리콘 혹은 실리콘 산화물을 금속 유기물 화학 증착법 또는 원자층 침착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.