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a) 하기 화학식 1의 구리 아미노알콕사이드, 하기 화학식 2의 인듐 아미노알콕사이드 및 셀레늄 분말을 이용하여 CuInSe2 나노입자를 제조하는 단계;b) 상기 CuInSe2 나노입자를 함유하는 코팅액을 몰리브덴(Mo) 막이 형성된 유리 기판의 몰리브덴 막 상에 상압 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및c) 상기 코팅층이 형성된 유리 기판을 열처리하여 CuInSe2 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 광흡수층용 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a) 단계는a1) 셀레늄 분말, 계면활성제 및 제1용매를 함유하는 제1용액을 교반하며 230 내지 250℃의 온도로 가열하는 단계; 및a2) 가열된 제1용액에 상기 구리 아미노알콕사이드, 인듐 아미노알콕사이드 및 제2용매를 함유하는 제2용액을 주입하여 교반하는 단계;를 포함하는 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 a2) 단계에서 상기 제1용액의 셀레늄 : 상기 제2용액의 구리 : 제2용액의 인듐의 몰비는 2 : 1 : 1인 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 계면활성제는 헥사데실아민이며, 상기 제1용매는 헥사데칸, 상기 제2용매는 톨루엔인 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 코팅액은 상기 CuInSe2 나노입자를 30 내지 50 중량% 함유하는 톨루엔인 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 코팅액은 하기의 화학식 4의 주석 아미노알콕사이드를 더 함유하는 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 코팅액은 상기 CuInSe2 나노입자 100 중량부에 대해 5 내지 15 중량부의 상기 주석 아미노알콕사이드를 함유하는 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 유리는 소다회 유리인 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 b) 단계의 상기 도포는 닥터 블레이드, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅, 드랍-와이즈 코팅 및 실크 스크린에서 선택된 하나 이상의 방법으로 수행되는 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 c) 단계의 열처리는 300 내지 600℃에서 수행되는 CuInSe2 박막의 제조방법
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제 1항 내지 제10항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 CuInSe2 박막을 광흡수층으로 포함하는 태양전지
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