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아크릴레이트계 단량체 또는 스티렌계 단량체 중에서 선택되는 적어도 1종의 단량체와 비닐벤질클로라이드 단량체를 중합하여 고분자를 얻는 단계; 얻어진 고분자와 트리알킬아민을 반응시켜 음이온 교환기를 가지는 고분자를 얻는 단계; 및음이온 교환기를 가지는 고분자를 탄소전극 표면 위에 코팅하는 단계를 포함하고, 상기 트리알킬아민은 고분자 중대비 4 ~5중량% 사용하는 것인 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 아크릴레이트계 단량체로는 C1~C12의 알킬메타아크릴레이트, 2-에톡시에틸 메타아크릴레이트, 2-부톡시에틸 메타아크릴레이트, 에틸렌글리콜메틸에스터아크릴레이트, 시클로헥실 메타아크릴레이트, 벤질 메타아크릴레이트, 페닐 메타아크릴레이트, 2-(메틸티오)에틸 메타아크릴레이트, 헥사플루오로이소프로필 아크릴레이트, 트리플루오로에틸 메타아크릴레이트, 펜타플루오로프로필 메타아크릴레이트, 헵타플루오로부틸 메타아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸 메타아크릴레이트, 테트라플루오르프로필 메타아크릴레이트 및 헥사플루오르부틸 메타아크릴레이트 중에서 1종 이상의 것을 선택하여 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 스티렌계 단량체로는 스티렌, α-메틸스티렌, 메틸스티렌, 브로모스티렌, 클로로스티렌, 니트로스티렌, 트리플루오로메틸스티렌 및 클로로α-메틸스티렌 중에서 1종 이상의 것을 선택하여 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 고분자를 얻는 단계에서 가교제를 사용하며, 가교제로는 디비닐벤젠, 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 부탄디올 디(메타)아크릴레이트 및 헥산디올 디(메타)아크릴레이트 중 1종 이상의 것을 선택하여 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제1항에 있어서, 트리알킬아민으로는 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민 및 트리옥틸아민 중에서 1종 이상의 것을 선택하여 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제 1항에 있어서, 고분자를 중합하는 단계에서 비닐벤질클로라이드를 전체 단량체 함량 중 10 내지 50중량% 되도록 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제 1항에 있어서,음이온 교환기를 가지는 고분자를 제조하는 단계에서 트리알킬아민을 유기용매에 5중량% 이내의 농도로 희석하여 사용하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제 1항에 있어서,음이온 교환기는 4급 암모늄 관능기인 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제 1항에 있어서,음이온 교환기를 가지는 고분자를 탄소전극 표면위에 코팅하는 단계 이후로, 70 내지 80℃에서 건조하는 단계를 포함하는 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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제 1항에 있어서,고분자를 얻는 단계에서 중합은 괴상중합 또는 용액중합인 음이온 교환성 고분자로 코팅된 탄소전극 제조 방법
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