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전자전달층, 전자전달층의 전자전달체의 표면에 형성되는 나노 반도체무기산화물로 제조되는 광흡수층 및 홀전도층을 포함하는 광전소자로서, 상기 홀전도층은 홀전도성 고분자와 홀전도층 내부에 전자채널을 형성하는 전자채널형성재를 포함하는 광전소자
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제 1항에 있어서,상기 전자채널형성재는 상기 전자 전달체 표면의 부분 또는 전부에 코팅되거나 광흡수층 표면의 일부에 코팅되어 전자채널을 형성하는 광전소자
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제 2항에 있어서,상기 전자채널형성재는 풀러렌유도체, Pc2Lu, Pc2Tm, TCNQ,P TCDI-Ph, TCNNQ, NTCDI, PTCDA, F16CuPc, NYCDI-C8F, DHF-6T, Pentacene, PTCDI-C8, quinodimethane, BBL, DFH-4T, DFH-5T, DFH-6T에서 선택되는 어느 하나 또는 둘이상의 것인 광전소자
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제 1항에 있어서,상기 전자전달체는 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, SrTi산화물, 상기 산화물의 복합물 및 상기 산화물과 복합물로 코팅된 무기입자에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 것인 광전소자
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제 1항에 있어서,상기 광흡수층에 포함되는 광흡수체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe, MgSe 및 이들의 합금에서 하나 또는 둘 이상 선택된 물질인 광전소자
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제 1항에 있어서,상기 홀전도성 고분자는 P3HT, MDMO-PPV, MEH-PPV, P3OT, PPV, TFB, POT, PCPDTBT, PCDTBT, PTPTB, PSBTBT, P2, PBBTDPP2, PDPP-BPD2, PFPDT, PFDTBT, PSiF-DBT, APFO-15, HXS-1, PFO-PTBT, APFO-Green2, PBEHTB, PF-co-DTB, 및 PFO-SeBT에서 선택되는 하나 또는 둘 이상 물질인 광전소자
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제 1항에 있어서,상기 전자채널형성재는 홀전도성 고분자 100중량부에 대하여 전자채널형성재를 1 내지 500중량부를 사용하는 광전소자
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기판 상에 전자전달체를 코팅하는 단계, 상기 전자전달체가 코팅된 기판상에 광흡수체 또는 광흡수체 전구체를 코팅하여 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 광흡수층을 형성한 기판 상에 전자채널형성재와 홀전도성 고분자를 각각 또는 혼합하여 코팅하여 홀전도층을 형성하는 단계;를 가지는 광전소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 홀전도층의 전자채널형성재는 상기 전자전달체 표면의 부분 또는 전부에 코팅되거나 광흡수층 표면의 일부에 코팅되어 전자채널을 형성하는 광전소자의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 전자채널형성재는 풀러렌유도체, Pc2Lu, Pc2Tm, TCNQ,P TCDI-Ph, TCNNQ, NTCDI, PTCDA, F16CuPc, NYCDI-C8F, DHF-6T, Pentacene, PTCDI-C8, quinodimethane, BBL, DFH-4T, DFH-5T, DFH-6T에서 선택되는 어느 하나 또는 둘이상의 것인 광전소자의 제조방법
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