요약 | 본 발명은, 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있는 것이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 21/027 (2006.01) |
CPC | H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110045302 (2011.05.13) |
출원인 | 한국화학연구원 |
등록번호/일자 | 10-1218580-0000 (2012.12.28) |
공개번호/일자 | 10-2012-0127069 (2012.11.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130121) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.05.13) |
심사청구항수 | 25 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이선숙 | 대한민국 | 대전광역시 중구 |
2 | 정대성 | 대한민국 | 경상북도 포항시 북구 |
3 | 김한선 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
4 | 안기석 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 정택모 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 김창균 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
7 | 이영국 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 제일특허법인(유) | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0356368-52 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0358239-17 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009778-17 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0402522-93 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0740334-08 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.09.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0740335-43 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.12.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0790060-45 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 삭제 |
2 |
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3 |
3 삭제 |
4 |
4 기판 상에 그래핀층을 형성하는 과정과,양각 패턴을 갖는 고분자 스템프의 패턴 면에 그래핀 박리층을 형성하는 과정과,상기 고분자 스템프의 패턴 면을 상기 그래핀층의 목표 위치에 정렬시켜 접착시키는 과정과,상기 기판으로부터 상기 고분자 스템프를 분리하여 상기 고분자 스템프의 양각 패턴 부분에 접착된 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시킴으로써, 상기 기판 상에 그래핀 패턴층을 형성하는 과정을 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 그래핀층은,CVD 방법으로 형성되는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 그래핀층은,상기 기판 상에 산화 그래핀을 코팅한 후 상기 그래핀층으로 환원하는 방법을 통해 형성되는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
7 |
7 제 4 항에 있어서,상기 고분자 스템프는,PDMS 스템프인박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
8 |
8 제 4 항에 있어서,상기 그래핀 박리층은,유기 용매인박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 유기 용매는,DMSO(dimethyl sulfoxide) 또는 THF(tetrahydrofuran) 용매인박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
10 |
10 제 8 항에 있어서,상기 그래핀 박리층은,스핀 코팅 공정을 통해 형성되는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
11 |
11 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 그래핀 패턴층은,그래핀 저항, 그래핀 배선, 그래핀 채널층, 메모리용 그래핀 전하 트랩층, 트랜지스터의 온/오프 스위치, 센서 소자, 광 검출 소자, 방열 소자, 발열 소자 중 어느 하나로서 기능하는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
12 |
12 외주면을 따라 양각 부분과 음각 부분으로 된 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 표면에 그래핀 박리층이 도포된 고분자의 회전체 스템프를 준비하는 과정과,상부에 그래핀층이 형성된 기판을 준비하는 과정과,상기 회전체 스템프를 그래핀층에 접착시켜 회전시키는 방식을 통해 상기 양각 부분에 접착되는 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시킴으로써, 상기 기판 상에 그래핀 패턴층을 형성하는 과정을 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 기판은,상기 회전체 스템프의 회전 속도에 동기된 진입 속도로 배출 방향으로 진행되는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
14 |
14 외주면을 따라 양각 부분과 음각 부분으로 된 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 표면에 그래핀 박리층이 도포된 고분자의 회전체 스템프를 준비하는 과정과,상부에 그래핀층이 형성된 기판을 준비하는 과정과,상기 회전체 스템프를 그래핀층에 접착시켜 회전시키는 방식을 통해 상기 양각 부분에 접착되는 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시킴으로써, 상기 기판 상에 그래핀 패턴층을 형성하는 과정과,상기 회전체 스템프의 회전에 따라 상기 기판으로부터 박리된 그래핀층이 접착되어 있는 그래핀 박리층을 제거하는 과정과,상기 회전체 스템프의 회전에 따라 상기 기판의 진입 방향으로 진행하는 양각 패턴의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 과정을 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 그래핀 패턴층을 형성하는 과정은,상기 회전체 스템프를 회전시켜 특정의 양각 부분을 상기 그래핀층에 접착시키는 과정과,상기 특정의 양각 부분과 그래핀층과의 접촉을 기 설정된 일정시간 동안 유지하는 과정과,상기 기 설정된 일정시간이 경과된 후 상기 회전체 스템프를 회전시킴으로써, 상기 그래핀층의 일부를 선택적으로 박리시키는 과정을 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
16 |
16 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 기판은,상기 회전체 스템프의 회전 속도에 동기된 진입 속도로 배출 방향으로 진행되는박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
17 |
17 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 방법은,상기 그래핀 박리층의 재도포 전에, 상기 그래핀 박리층이 제거된 상기 양각 부분의 표면을 건조시키는 과정을 더 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
18 |
18 외주면을 따라 양각 부분과 음각 부분으로 된 패턴이 형성되고, 상기 패턴의 표면에 그래핀 박리층이 도포되며, 기판에 형성된 그래핀층으로의 회전 접착을 통해 상기 양각 부분에 접착되는 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시키는 회전체 스템프와,상기 회전체 스템프의 회전에 따라 상기 기판으로부터 박리된 그래핀층이 접착되어 있는 그래핀 박리층을 제거하는 박리층 제거 수단과,상기 회전체 스템프의 회전에 따라 상기 기판의 진입 방향으로 진행하는 상기 패턴의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 박리층 도포 수단을 포함하는 그래핀 패턴 형성 장치 |
19 |
19 제 18 항에 있어서,상기 장치는,상기 그래핀 박리층의 재도포 전에, 상기 그래핀 박리층이 제거된 상기 양각 부분의 표면을 건조시키는 건조 수단을 더 포함하는 그래핀 패턴 형성 장치 |
20 |
20 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 박리층 제거 수단은,상기 회전체 스템프의 회전 방향과 동일 방향으로 상기 양각 부분의 표면으로의 당접 회전을 통해 수조로부터 제공되는 세정액으로 상기 양각 부분의 표면에 형성된 그래핀 박리층과 그 위에 접착된 그래핀층을 제거하는 세정용 회전체인그래핀 패턴 형성 장치 |
21 |
21 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 박리층 제거 수단은,분사 노즐을 이용한 세정액 분사를 통해 상기 패턴의 표면에 형성된 그래핀 박리층과 그 위에 접착된 그래핀층을 제거하는 세정액 분사기인그래핀 패턴 형성 장치 |
22 |
22 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 박리층 도포 수단은,분사 노즐을 이용한 그래핀 박리 물질의 분사를 통해 상기 패턴의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 분사기인그래핀 패턴 형성 장치 |
23 |
23 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 박리층 도포 수단은,상기 회전체 스템프의 회전 방향과 동일 방향으로 사익 양각 부분의 표면으로의 당접 회전을 통해 수조로부터 제공되는 그래핀 박리 물질로 상기 양각 부분의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 컨베이어 벨트인그래핀 패턴 형성 장치 |
24 |
24 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,상기 박리층 도포 수단은,상기 회전체 스템프가 회전할 때 수조로부터 제공되어 섬유 다발에 흡수된 그래핀 박리 물질을 상기 양각 부분의 표면으로 인가하여 상기 그래핀 박리층으로 재도포하는 도포 부재인그래핀 패턴 형성 장치 |
25 |
25 양각 부분과 음각 부분으로 된 패턴의 표면에 그래핀 박리층이 도포된 고분자의 대면적 스템프를 준비하는 과정과,상부에 그래핀층이 형성된 기판을 준비하는 과정과,상기 대면적 스템프를 그래핀층에 접착시켜 상기 양각 부분에 접착되는 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시킴으로써, 상기 기판 상에 그래핀 패턴층을 형성하는 과정과,상기 대면적 스템프의 상기 양각 부분에 있는 상기 그래핀 박리층과 그래핀층을 제거하는 과정과,상기 대면적 스템프의 상기 패턴의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 과정을 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
26 |
26 제 25 항에 있어서,상기 방법은,상기 그래핀 박리층의 재도포 전에, 상기 그래핀 박리층이 제거된 상기 양각 부분의 표면을 건조시키는 과정을 더 포함하는 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 |
27 |
27 양각 부분과 음각 부분으로 된 패턴의 표면에 그래핀 박리층이 도포되며, 기판에 형성된 그래핀층으로의 패턴 면 접착을 통해 상기 양각 부분에 접착되는 그래핀층을 상기 기판으로부터 선택적으로 박리시키는 대면적 스템프와,상기 기판으로부터 박리된 그래핀층이 접착되어 있는 상기 양각 부분의 그래핀 박리층을 제거하는 박리층 제거 수단과,상기 대면적 스템프의 상기 패턴의 표면에 상기 그래핀 박리층을 재도포하는 박리층 도포 수단을 포함하는 그래핀 패턴 형성 장치 |
28 |
28 제 27 항에 있어서,상기 장치는,상기 그래핀 박리층의 재도포 전에, 상기 그래핀 박리층이 제거된 상기 양각 부분의 표면을 건조시키는 건조 수단을 더 포함하는 그래핀 패턴 형성 장치 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103703543 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | EP02709141 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
3 | EP02709141 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
4 | JP26519198 | JP | 일본 | FAMILY |
5 | US20150132488 | US | 미국 | FAMILY |
6 | WO2012157894 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
7 | WO2012157894 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN103703543 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN103703543 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | EP2709141 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
4 | EP2709141 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
5 | EP2709141 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
6 | JP2014519198 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
7 | US2015132488 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
8 | WO2012157894 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
9 | WO2012157894 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국화학연구원 | 미래기반기술개발사업 | 분자제어를 통한 가능성 유/무기 소재 및 유연 전자 소자 개발 |
2 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 기관고유사업 | 정보전자 산업용 금속 전구체 개발 |
특허 등록번호 | 10-1218580-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110513 출원 번호 : 1020110045302 공고 연월일 : 20130121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121226 청구범위의 항수 : 25 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 및 그 장치 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2012년 12월 28일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2015년 10월 15일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2016년 10월 06일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2017년 11월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2018년 12월 18일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2020년 09월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0356368-52 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0358239-17 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009778-17 |
5 | 의견제출통지서 | 2012.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0402522-93 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0740334-08 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.09.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0740335-43 |
8 | 등록결정서 | 2012.12.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0790060-45 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345154093 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50171 |
연구과제명 | 분자제어를 통한 기능성 유/무기 소재 및 유연 전자 소자 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415118770 |
---|---|
세부과제번호 | KK-1102-C0 |
연구과제명 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201001~201212 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345137042 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-50171 |
연구과제명 | 분자제어를 통한 기능성 유/무기 소재 및 유연 전자 소자 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200907~201406 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415118770 |
---|---|
세부과제번호 | KK-1102-C0 |
연구과제명 | 정보전자 산업용 전구체 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201001~201212 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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