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(a) (ⅰ) 바나듐(V), (ⅱ) 크롬(Cr), (ⅲ) 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이들 모두, (ⅳ) 알칼리금속 및 알칼리토금속 중에서 선택된 1종 이상의 원소, 및 (ⅴ) 망간(Mn)으로 이루어진 산화물, 또는 (b) (ⅰ) 바나듐(V), (ⅱ) 크롬(Cr), (ⅲ) 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이들 모두, (ⅳ) 알칼리금속 및 알칼리토금속 중에서 선택된 1종 이상의 원소, (ⅴ) 망간(Mn), 및 (ⅵ) 아연(Zn), 주석(Sn), 비스무스(Bi), 인듐(In), 납(Pb) 및 안티몬(Sb)으로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어진 산화물을 함유하는 촉매 활성 성분과,TiO2 및 금속 보레이트를 함유하는 담체 성분을 포함하는 암옥시화 반응용 촉매
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제1항에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 암옥시화 반응용 촉매:[화학식 1](상기 화학식 1에서, CraMnbV1M1cM2dM3eOx은 촉매 활성 성분으로서, Cr은 크롬이고,Mn은 망간이며,V는 바나듐이고,M1은 Mo 및 W 중에서 선택된 1종 이상의 원소이며,M2는 주기율표상의 알칼리금속 및 알칼리 토금속 중에서 선택된 1 종 이상의 원소이고,M3는 아연(Zn), 주석(Sn), 비스무스(Bi), 인듐(In), 납(Pb) 및 안티몬(Sb)으로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 원소이며,O는 산소이고,a, b, c, d, e 및 x는 각각 V에 대한 Cr, Mn, M1, M2, M3 및 O의 원자 비율을 나타낸 것으로서, 각각 0
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제2항에 있어서, 상기 화학식 1에서 0
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제1항에 있어서, 상기 촉매 활성 성분의 함량은 상기 암옥시화 반응용 촉매 전체 중량을 기준으로 0
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제1항에 있어서, 상기 담체 성분 중 TiO2와 금속 보레이트는 40 : 60 ~ 95 : 5의 중량 비율로 포함된 것을 특징으로 하는 암옥시화 반응용 촉매
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제1항에 있어서, 상기 TiO2의 BET 표면적은 5 내지 100 ㎡/g 범위인 것을 특징으로 하는 암옥시화 반응용 촉매
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제1항에 있어서, 상기 금속 보레이트는 알루미늄보레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 암옥시화 반응용 촉매
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제1항에 있어서, 상기 암옥시화 반응용 촉매는 불활성 지지체에 추가적으로 담지되어 있는 것을 특징으로 하는 암옥시화 반응용 촉매
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제8항에 있어서, 상기 불활성 지지체의 비표면적이 0
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자일렌(xylene)을 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 암옥시화 반응용 촉매의 존재하에 산소 함유 가스 및 암모니아와 암옥시화 반응시켜 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 암옥시화 반응용 촉매는 단위 부피당 활성이 상이한 2 종 이상의 촉매이고, 상기 활성이 상이한 2 종 이상의 촉매는 촉매 활성 성분의 중량 비율, TiO2의 BET 비표면적 또는 이들 모두가 상이한 것을 특징으로 하는 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제11항에 있어서, 상기 제조방법이 고정상 반응기에서 일어나고, 상기 촉매 내 촉매 활성 성분의 중량 비율은 고정상 반응기의 입구 쪽에서 출구 쪽으로 갈수록 충전 단수에 따라 순차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제11항에 있어서, 상기 TiO2의 BET 비표면적은 고정상 반응기의 입구 쪽에서 출구 쪽으로 갈수록 충전 단수에 따라 순차적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제11항에 있어서, 상기 활성이 상이한 2종 이상의 촉매 중에서 반응기의 입구 쪽의 촉매는, TiO2의 BET 비표면적이 5 내지 20 ㎡/g 범위이며, 촉매 활성 성분의 중량 비율이 상기 암옥시화 반응용 촉매 전체 중량을 기준으로 0
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제14항에 있어서, 상기 반응기의 출구 쪽의 촉매는,TiO2의 BET 비표면적이 10 내지 100 ㎡/g 범위이며, 촉매 활성 성분의 중량 비율이 암옥시화 반응용 촉매 전체 중량을 기준으로 0
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제10항에 있어서, 상기 자일렌은 0
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제10항에 있어서, 상기 산소 함유 가스는 자일렌 대비 산소 함유 가스(O2/자일렌)가 3/1 ~ 7/1 (m/m)으로 공급되고, 상기 암모니아는 자일렌 대비 암모니아(NH3/자일렌)가 3/1 ~ 10/1 (m/m)으로 공급되는 것을 특징으로 하는 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 암옥시화 반응은, 300 내지 500 ℃의 온도에서 500 내지 2000 hr-1의 GHSV(gas hourly space velocity)로 수행되는 것을 특징으로 하는 디시아노벤젠을 제조하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 암옥시화 반응시 스팀이 전체 반응물의 기상 상태에서의 총 부피를 기준으로 0
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