| 1 |
1
Sb-Te계 열전박막물질의 C-축 격자상수에 대해 격자 부정합이 3% 이하인 단결정 기판 상부에 Sb 전구체와 반응 가스를 이용하여 Sb 증착막을 형성하는 단계; 및 Te 전구체 및 반응 가스를 이용하여 Te 증착막을 형성하는 단계;를 교번하여 수행하는 Sb-Te계 열전박막을 증착 방법이며, Sb 증착막 형성 단계에서, Sb 전구체의 공급 및 반응 가스의 공급시 플라즈마를 발생하고 Te 증착막 형성 단계에서 Te 전구체의 공급 및 반응 가스의 공급 시 플라즈마를 발생하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 Sb 증착막을 형성하는 단계는 a1) 챔버에 Sb 전구체를 공급하는 전구체공급단계;a2) 퍼지 가스를 이용하여 챔버 내부를 퍼지하는 퍼지단계;a3) 퍼지된 챔버에 반응가스를 공급하는 반응가스공급단계;및a4) 퍼지 가스를 이용하여 챔버 내부를 퍼지하는 퍼지단계;를 포함하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서,상기 Te 증착막을 형성하는 단계는 b1) 챔버에 Te 전구체를 공급하는 전구체공급단계;b2) 퍼지 가스를 이용하여 챔버 내부를 퍼지하는 퍼지단계;b3) 퍼지된 챔버에 반응가스를 공급하는 반응가스공급단계; 및b4) 퍼지 가스를 이용하여 챔버 내부를 퍼지하는 퍼지단계;를 포함하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,상기 a1) 내지 a4) 단계를 Sb 단위 사이클로 하고, 상기 b1) 내지 b4) 단계를 Te 단위 사이클로 하여, Sb 단위 사이클 및 Te 단위 사이클이 교번되어 반복 수행되며,상기 Sb 사이클 및 Te 사이클 각각에서, 전구체공급단계 및 반응가스공급단계에서 플라즈마가 발생하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 Sb-Te계 열전박막은 Sb2Te3를 포함하며, 상기 기판은 BaF2 단결정 기판을 포함하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 Sb 증착막을 형성하는 단계 및 Te 증착막을 형성하는 단계는 200 내지 300℃의 온도에서 수행되는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제 3항에 있어서,상기 Sb 전구체는 Sb(C3H7)3, Sb(CH3)3, Sb(C2H5)3 및 Sb(N(CH3)2)3에서 하나 이상 선택된 물질을 포함하며, 상기 Te 전구체는 Te(C3H7)2, Te(CH3)2, Te(C2H5)2 및 Te(C4H9)2에서 하나 이상 선택된 물질을 포함하는 Sb-Te계 열전박막의 제조방법
|
| 9 |
9
제 7항에 있어서,기판상 형성된 상기 Sb-Te계 열전박막은 Cu Kα X-선 회절 패턴에서 가장 큰 회절 강도를 갖는 제1피크의 강도를 두 번째 큰 회절 강도를 갖는 제2피크의 강도로 나눈 피크간 강도비가 1
|
