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단결정 성장 장치(10)에 있어서,원료 물질들을 배치하는 바스켓(100);종자 결정(240)이 고정되는 고정스프링(220)을 구비하는 적어도 하나 이상의 랙(200); 및상기 바스켓(100)과 상기 랙(200) 사이에 위치하는 대류조절판(300);을 포함하고,상기 바스켓(100)과 상기 랙(200)이 분리되어 상기 대류조절판(300)을 교체할 수 있는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항 있어서,상기 단결정 성장 장치(10)는상기 바스켓(100)에 위치하는 원료물질이 양의 온도(압력) 계수 용해도인 경우에는 상기 랙(200)이 상부에 위치하고 상기 바스켓(100)은 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항에 있어서,상기 단결정 성장 장치(10)는상기 바스켓(100)에 위치하는 원료물질이 음의 온도(압력) 계수 용해도인 경우에는 상기 랙(200)이 하부에 위치하고 상기 바스켓(100)은 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항에 있어서,상기 대류조절판(300)은상기 바스켓(100)의 내부에 위치하는 원료물질에 따라서 중심부에 천공되어 있는 개공홀(340)의 크기가 다른 것이 설치되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항에 있어서,상기 단결정 성장 장치(10)는아임계 및 초임계 상태에서 단결정을 성장하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항에 있어서,상기 고정스프링(220)은 C자 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항에 있어서,상기 랙(200)은 나사홀(231)이 천공되고, 상기 나사홀(231)에 고정나사(230)가 삽입되어 종자 결정(240)을 고정하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 단결정 성장 장치(10)는암모노써멀(ammonothermal)법, 수열(hydrothermal)법 및 용매열(solvethermal)법 중 어느 한 방법을 이용하여 단결정을 성장하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 장치
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