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III족 질화물 단결정의 암모노써멀(ammonothermal) 성장 방법으로서, 1) III족 함유 물질, III족 질화물 종자 결정 및 광화제를 압력용기 내에 투입하는 단계;2) 상기 압력용기를 밀폐시키는 단계; 3) 상기 압력용기 내에 비활성기체와 질소 함유 용매를 주입하는 단계; 및4) 상기 압력용기를 가열하여 III족 질화물 단결정을 성장하는 단계;를 포함하는 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 비활성 기체는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe) 및 라돈(Rn)으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 가스를 포함하는 것인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 III족 함유 물질은 단일 III족 원소, 또는 III족 원소와 질화물(nitrides), 수소화물(hydrides), 아마이드(amides), 이미드(imides), 아미도-이미드(amido-imides) 또는 아자이드(azides)로 이루어진 전구물질인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 III족 질화물 종자 결정은 III족 원소와 V족 원소인 N으로 이루어진 물질인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 광화제는 하나 이상의 Li, Na, 또는 K를 포함하고 있는 알칼리 금속 함유 물질 또는 하나 이상의 F, Cl, Br, 또는 I를 포함하고 있는 산성 할라이드 함유 물질을 포함하는 것인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 질소 함유 용매는 암모니아, 암모니아 유도체 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 5항에 있어서,상기 주입된 비활성기체는 압력용기 내부 100% 부피 %기준으로 0
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제 1항에 있어서,상기 4) 단계에서의 가열은 23 내지 1,000℃의 온도 범위로 수행되는 것인 III족 질화물 단결정의 성장 방법
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제 1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 방법에 의하여 성장한 III족 질화물 단결정
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제 9항의 상기 III족 질화물 단결정으로부터 생성된 III족 질화물 기판
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제 10항의 상기 III족 질화물 기판을 이용하여 생성한 소자
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