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제1전극; 상기 제1전극 상부에 형성된 금속 산화물 박막과 상기 금속 산화물 박막에 일 단이 부착된 금속 산화물 나노구조체를 포함하는 전자 전달체; 상기 전자 전달체 표면에 접하여 형성된 무기 반도체를 포함하는 광 흡수체; 상기 광 흡수체 및 전자 전달체의 표면에 형성된 정공완충층; 상기 제1전극과 대향하는 제2전극; 및 상기 광 흡수체와 정공완충층이 형성된 전자 전달체와 상기 제2전극 간의 공간을 채우는 레독스계(redox couple) 전해질을 포함하는 정공 전달체;를 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 금속 산화물 박막에 일 단이 부착되고 수직 배향된 금속 산화물 나노와이어를 포함하는 태양전지
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 금속 산화물 박막으로부터 핵생성 및 성장된 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 수직 배향된 금속 산화물 나노와이어는 하기 관계식 1을 만족하는 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 수직 배향된 금속 산화물 나노와이어의 단축 직경은 5 내지 500 nm이며, 장축 길이는 0
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제 1항에 있어서,상기 정공완충층은 P3HT (poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV (poly[2-methoxy-5-(3',7'- dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV (poly[2-methoxy -5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT (poly(3-octyl thiophene)), PPV (poly(π-phenylene vinylene)), TFB (poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenyl amine), POT( poly(octyl thiophene)), PCPDTBT(Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]]), PCDTBT(Poly[[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]) 및 이들의 혼합물에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 물질인 태양전지
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제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 7항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,광흡수체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe, MgSe, 이들의 혼합물 및 이들의 복합물 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 것인 태양전지
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제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 7항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물 박막 또는 금속산화물 나노구조체의 금속산화물은 서로 독립적으로, Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, SrTi산화물, 이들의 혼합물 및 이들의 복합물 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 것 태양전지
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10
제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 7항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,상기 전해질은 코발트계 (cobalt(II)/cobalt(III) couple) 또는 니켈계 (Ni(III)/Ni(IV) couple)인 태양전지
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