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하기 화학식 1로 표시되는 파이렌 화합물로 개질화된 탄소나노튜브 1-20 중량부 및 폴리아마이드 계열 고분자 100 중량부를 포함하며, 상기 개질화된 탄소나노튜브를 폴리아마이드 계열 고분자 매트릭스 내에 분산시킨 것을 특징으로 하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서,m은 4 내지 20의 정수이고;n은 6 내지 12의 정수이다)
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하기 화학식 1로 표시되는 파이렌 화합물을 탄소나노튜브의 표면에 처리하여 개질화시키는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 개질화된 탄소나노튜브를 비전도성 고분자 매트릭스에 분산시키는 단계(단계 2);를 포함하는 제1항의 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 제1항에 따른 전자파 차폐재의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, m 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다)
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제7항에 있어서,상기 단계 1의 개질화는 유기용매 내에 화학식 1로 표시되는 파이렌 화합물과 탄소나노튜브를 첨가한 다음, 초음파 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 유기용매는 클로로포름, 다이클로로메탄 및 테트라하이드로퓨란(THF)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 비양자성 극성 용매인 것을 특징으로 하는 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 단계 2의 분산은 용액 성형법(solution casting), 용융 성형법(melt processing), 습식방사법(wet spinning) 또는 전기방사법(electrospinning)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 용액 성형법은 유기용매 내에 개질화된 탄소나노튜브 및 비전도성 고분자를 용해시킨 다음, 초음파 조사하여 분산하는 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 유기용매는 다이메틸설폭사이드(DMSO), 다이메틸포름아마이드(DMF), 다이메틸아세틸아마이드(DMAc), 1,4-다이옥산, 테트라하이드로퓨란(THF), 헥사메틸인산 트라이아마이드(HPMA) 및 헥사플루오로-2-프로판올(HFIP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 극성 유기용매인 것을 특징으로 하는 개질화된 탄소나노튜브를 포함하는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전자파 차폐재는 TV 프레임, 휴대폰 하우징, 노트북 외장재, 디지털 카메라 내외장재 또는 기타 IT 제품으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 전자파 차폐 효과를 갖는 전기 전도성 소재에 사용되는 기계적 물성과 전기 전도성이 우수한 고분자 나노복합재를 포함하는 전자파 차폐재
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