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광경화성 폴리이미드를 이용한 전극의 패터닝 방법 및 이를 통해 제조된 패턴

  • 기술번호 : KST2015139417
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 목적은 광경화성 폴리이미드를 이용한 전극의 패터닝 방법 및 이를 통해 제조된 패턴을 제공하는 데 있다. 이를 위하여, 본 발명은 기판상에 광 경화성 절연층을 형성하는 단계(단계 1); 상기 광 경화성 절연층을 포토마스크를 이용하여 마스킹한 후 광경화를 수행하는 단계(단계 2); 상기 포토마스크를 제거한 후 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계(단계 3); 및 상기 마스킹을 통하여 광경화되지 않은 부분의 절연층과 이의 상부에 위치하는 전극층을 제거하는 단계(단계 4); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 패터닝 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 유기박막 트랜지스터 상에 전극 패턴을 형성함에 있어서 종래의 포토레지스트를 대신하여 광 경화 가능한 폴리이미드를 사용함으로써, 폴리이미드 제거 공정이 1회만 수행되어 공정단계가 줄어든다는 장점이 있다. 또한, 포토레지스트를 제거하기 위한 현상용액으로 사용되는 강염기나 페놀류의 부산물이 발생하지 않고, NMP, DMAc, DMSO, GBL 등의 용매를 사용하므로 경제적, 환경적 이점이 있다.
Int. CL H01B 3/00 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01)
출원번호/일자 1020120144497 (2012.12.12)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1372870-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
2 이미혜 대한민국 대전 유성구
3 가재원 대한민국 서울 관악구
4 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
5 윤준영 대한민국 대전 유성구
6 김진수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-1033921-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096768-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0048543-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0099551-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0099549-16
7 등록결정서
Decision to grant
2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0140312-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 광 경화성 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 광 경화성 절연층을 포토마스크를 이용하여 마스킹한 후 광경화를 수행하는 단계(단계 2);상기 포토마스크를 제거한 후 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계(단계 3); 상기 마스킹을 통하여 광경화되지 않은 부분의 절연층과 이의 상부에 위치하는 전극층을 제거하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 절연층과 전극층을 제거한 기판 상에 유기 반도체 층을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광 경화성 절연층은 광 경화성 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 광 경화성 폴리이미드는 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기 화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3에서,상기 은 , , , , , , , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 4가기이고;상기 는 , , , , , , , , , 및 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 2가기이며;q는 0 내지 10의 정수이며;X1, X2, X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 수소, C1 - C10의 알킬, 시아노 또는 할로겐 치환체이며;m, n 및 l의 합은 10 내지 3000의 정수이고, 이때 m은 0을 포함한다)
4 4
제 1 항에 있어서,상기 단계 3의 전극층은 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계 4는 NMP(N-Methyl pyrrolidone), DMAc(dimethylacetamide), DMSO(Dimethyl sulfoxide) 및 GBL(γ-butyrolactone )으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용매를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항의 제조방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발
2 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발