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안티몬-텔루륨 단일 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015139489
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체에 관한 것으로, 상기 안티몬-텔루륨 단일 전구체는 열적 안정성과 휘발성이 향상되고, 박막 제조 중에 별도의 텔루륨을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있어 양질의 안티몬-텔루륨이 포함된 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기 식에서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10인 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C6-C16인 방향족 고리이다.)
Int. CL C07F 9/90 (2006.01) C07F 11/00 (2006.01)
CPC C07F 9/90(2013.01) C07F 9/90(2013.01)
출원번호/일자 1020130136364 (2013.11.11)
출원인 한국화학연구원, 공주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1567936-0000 (2015.11.04)
공개번호/일자 10-2015-0054201 (2015.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20151110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 공주대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 공주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대한민국 강원 원주시 남원로***번길 *
2 김창균 대한민국 대전 유성구
3 정택모 대한민국 대전 유성구
4 전동주 대한민국 대전 유성구
5 김진권 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 공주대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 공주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1024904-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027196-68
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0211907-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0526109-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0526108-35
6 등록결정서
Decision to grant
2015.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0686618-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5036312-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136814-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 2 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체:[화학식 2][화학식 3](상기 식에서, R1, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10인 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C6-C16인 방향족 고리이다
2 2
제1항에 있어서,상기 R1은 C6H5, (CH3)C6H4, C2H5, C3H7, n-C4H9 로부터 선택되고, 상기 R3는 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되고, R4는 CH3, C2H5, CH(CH3)2 및C(CH3)3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 안티몬-텔루륨 단일 전구체
3 3
하기 화학식 4 내지 6으로 표시되는 화합물 중 어느 하나와 Te 분말을 반응시키는 것을 포함하는, 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체의 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기 식에서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10인 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C6-C16인 방향족 고리이다
4 4
제3항에 있어서,상기 화학식 4로 표시되는 화합물과, Te 분말 및 R2Li를 반응시키는 것을 포함하는 화학식 1로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체의 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 화학식 5로 표시되는 화합물과, Te 분말 및 R3Li를 반응시키는 것을 포함하는 화학식 2로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체의 제조방법
6 6
제3항에 있어서,상기 화학식 6으로 표시되는 화합물과, Te 분말 및 R4Li를 반응시키는 것을 포함하는 화학식 3으로 표시되는 안티몬-텔루륨 단일 전구체의 제조방법
7 7
제1항의 안티몬-텔루륨 단일 전구체를 이용하여 안티몬-텔루륨이 포함된 박막을 성장시키는 방법
8 8
제7항에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성