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호스트 액정에 대한 용해도가 향상된 불소 도입 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 중합성 액정 조성물

  • 기술번호 : KST2015139503
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 호스트 액정에 대한 용해도가 향상된 불소도입 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 중합성 액정 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물은 용해도 향상기로 불소기를 페닐-싸이오펜 코어에 비대칭적으로 도입하여 수직 배향형 호스트 액정에 대한 용해도를 증가시키고 광반응성기로 메타아크릴레이트를 도입함으로써 광가교 후 선경사각의 안정성을 향상시키는 효과가 있으므로 중합성 액정 조성물, 특히, 고분자 안정화 배향 유형의 액정디스플레이용 중합성 액정 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C07D 333/10 (2006.01) C09K 19/34 (2006.01) C09K 19/38 (2006.01)
CPC C09K 19/3491(2013.01) C09K 19/3491(2013.01) C09K 19/3491(2013.01) C09K 19/3491(2013.01) C09K 19/3491(2013.01)
출원번호/일자 1020130120618 (2013.10.10)
출원인 한국화학연구원, 주식회사 동진쎄미켐, 삼성디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1512173-0000 (2015.04.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 동진쎄미켐 대한민국 인천광역시 서구
3 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 가재원 대한민국 서울 관악구
2 김진수 대한민국 대전 유성구
3 이미혜 대한민국 대전 유성구
4 김윤호 대한민국 대전 유성구
5 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
6 김희주 대한민국 경북 상주시 외답
7 최진욱 대한민국 경기 수원시 권선구
8 이성규 대한민국 경기 화성시
9 조성찬 대한민국 서울특별시 서초구
10 노경래 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
2 주식회사 동진쎄미켐 인천광역시 서구
3 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0915593-00
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0128997-86
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-1041775-25
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1142989-80
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0075145-23
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0176408-27
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278133-36
8 보정요구서
Request for Amendment		 2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0050941-13
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0371086-93
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0392450-46
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0487250-16
12 지분약정 무효처분통지서
Notice for Invalidation of Share Agreement		 2014.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0098093-13
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0075097-83
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0692555-36
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-1200919-89
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006280-04
18 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0205488-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, X는 O, NH 또는 S이고;R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로 수소 또는 불소(F)이고, 이때 이들 중 적어도 하나는 불소이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 중합성 메조겐 화합물은 하기 화학식 2, 3, 4, 5, 6 및 7로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물:[화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7](상기 화학식 2 내지 화학식 7에 있어서, X는 O, NH, 또는 S이다)
3 3
제2항에 있어서,상기 화학식 2 내지 화학식 7의 치환기 X는 O인 것을 특징으로 하는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물
4 4
하기 반응식 1에 나타난 바와 같이,화학식 8로 표시되는 화합물과 화학식 9로 표시되는 화합물을 유기용매에 용해시킨 후 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화학식 1로 표시되는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물의 제조방법:[반응식 1](상기 반응식 1에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 X는 제1항에서 기재한 바와 같다)
5 5
제4항에 있어서,상기 유기용매는 다이클로로메탄(DCM), 다이메틸포름아마이드(DMF), 다이메틸아세틸아마이드(DMAc), 다이메틸설폭사이드(DMSO) 및 테트라하이드로퓨란(THF)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 제조방법은 암모니아, 피리딘(Pyridine), 트라이메틸아민(TMA), 트라이에틸아민(TEA), 다이메틸아민(DMA), 다이에틸아민(DEA), N,N-다이이소프로필에틸아민(DIPEA), N-메틸포르포린, N-메틸피페리딘, N,N-디메틸아닐린, 다이메틸아미노피리딘(DMAP) 및 테트라메틸에틸렌다이아민(TMEDA)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 염기 촉매를 더 첨가할 수 있는 것을 특징으로 하는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물의 제조방법
7 7
하기 화학식 1로 표시되는 페닐-싸이오펜계 중합성 메조겐 화합물을 포함하는 중합성 액정 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, R1, R2, R3, R4 및 X는 제1항에서 기재한 바와 같다)
8 8
제7항의 중합성 액정 조성물을 포함하는 액정층을 구비한 고분자 안정화 배향 액정디스플레이
9 9
제8항에 있어서, 상기 액정 디스플레이는 수직 배향 유형(VA-MODE)의 액정 디스플레이인 것을 특징으로 하는 고분자 안정화 배향 액정 디스플레이
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105637064 CN 중국 FAMILY
2 WO2015053505 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105637064 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105637064 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 WO2015053505 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국화학연구원 지식경제기술혁신사업 (RCMS)고속응답(5ms) LCD용 VA형 광반응성 액정 및 광배향막 개발(3차)
2 지식경제부 한국화학연구원 기관고유사업 모바일산업용 고내열 핵심 화학소재 개발