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원자층 증착방식에 의해 형성된 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재

  • 기술번호 : KST2015139513
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.
Int. CL C12M 3/00 (2006.01) C12N 1/00 (2006.01) C12N 5/00 (2006.01)
CPC C12M 23/20(2013.01) C12M 23/20(2013.01)
출원번호/일자 1020140016779 (2014.02.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1652427-0000 (2016.08.24)
공개번호/일자 10-2015-0096016 (2015.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대한민국 대전시 유성구
2 최원진 대한민국 서울 은평구
3 정윤장 대한민국 서울시 강남구
4 이영국 대한민국 대전 유성구
5 박정규 대한민국 대전 서구
6 정종진 대한민국 경기 고양시 일산서구
7 고혁완 대한민국 경기 수원시 영통구
8 이수진 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0143423-40
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0148017-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0050918-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0508573-77
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0936564-92
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1053307-87
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1166803-38
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1282413-23
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0001016-47
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0101390-27
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0101398-92
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0458720-10
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0730873-54
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0730874-00
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0579218-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)의 사이클 수에 따라 세포 배양 기재 상의 산화아연(ZnO) 박막의 두께를 조절하는 단계; 및2) 상기 두께가 조절된 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재 상에서 분리된 암세포, 체세포, 줄기세포 및 섬유아세포로 구성된 군으로부터 선택되는 동물세포를 배양하는 단계를 포함하는, 동물세포의 세포 증식 속도를 조절하는 방법으로서,배양된 세포의 생존율이 90% 이상으로 유지되면서 세포 증식 속도만이 조절되는 것을 특징으로 하는, 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 세포 배양 기재는 혈청 또는 알부민, 성장인자 및 항체로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 생체물질이 추가로 코팅된 것인, 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 1) 단계에서 산화아연 박막의 두께를 45 nm 내지 100 nm로 조절함으로써 산화아연 박막을 구비하지 않은 기재 상에서 배양하는 것에 비해 세포 증식 속도를 감소시키는 것을 특징으로 하는, 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 1) 단계에서 산화아연 박막의 두께를 7 nm 내지 25 nm로 조절함으로써 세포 증식 속도를 유지시키는 것을 특징으로 하는, 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 세포 배양 기재는 암전이 또는 암세포의 증식을 억제하는 것인, 방법
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 협동연구사업 NT 기반 세포신호측정계 구축
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발