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금속 실리사이드 입자가 충진된 개질 반응부에 사염화실란과 불활성가스를 공급하는 단계;상기 사염화실란과 불활성가스가 공급된 개질 반응부를 가열하여 금속 실리사이드 입자의 표면을 개질하는 단계; 및가열된 상기 개질 반응부에 불활성가스를 흘려주면서 개질 반응부를 냉각하는 단계를 포함하고,상기 금속 실리사이드는 구리(Cu) 실리사이드 또는 니켈(Ni) 실리사이드에서 선택되고,표면이 개질된 후 금속 실리사이드 입자의 표면에 존재하는 규소(Si) 대 구리(Cu)의 몰비 또는 규소(Si) 대 니켈(Ni)의 몰비가 1 이상 내지 30 이하의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드의 표면개질 방법
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제 1항에 있어서, 상기 구리(Cu) 실리사이드는 금속 성분으로 Al 또는 Fe를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드의 표면개질 방법
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제 2항에 있어서,상기 구리(Cu) 실리사이드의 Al 함량은 0
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제 2항에 있어서,상기 구리(Cu) 실리사이드의 Fe 함량은 0
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제 1항에 있어서, 상기 니켈(Ni) 실리사이드는 금속 성분으로 Al 또는 Fe를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드의 표면개질 방법
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제 5항에 있어서,상기 니켈(Ni) 실리사이드의 Al 함량은 0
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제 5항에 있어서,상기 니켈(Ni) 실리사이드의 Fe 함량은 0
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제 1항에 있어서, 상기 개질 반응부에 공급되는 사염화실란과 불활성가스의 몰비는 1:1 내지 1:10의 범위인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드의 표면개질 방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 방법에 의해 표면이 개질된 금속 실리사이드와, 금속성 실리콘을 반응부로 공급하는 단계;상기 반응부에 사염화실란과 수소를 공급하는 단계; 및상기 반응부 내 금속성 실리콘 상에 공급된 사염화실란과 수소의 반응을 통해 생성된 생성물을 분리부에 공급하여, 삼염화실란성분을 분리하는 단계를 포함하는 삼염화실란의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 금속성 실리콘의 공급을 시간간격을 두고 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 반응부의 압력을 1atm 이상 내지 50atm 이하의 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 반응부의 온도를 300℃ 이상 내지 1000℃ 이하의 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 분리부에서 삼염화실란을 제외한 나머지 성분을 반응부로 재순환하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조방법
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금속 실리사이드 입자가 충진되고, 상기 금속 실리사이드 입자상에 불활성가스 및 사염화실란이 공급되면서, 상기 금속 실리사이드 입자의 표면 개질 반응이 일어나는 개질 반응부;상기 개질 반응부와 연결되어, 상기 표면이 개질된 금속 실리사이드 입자가 유입되며, 상기 금속 실리사이드 입자상에 금속성 실리콘과 수소 및 사염화실란이 공급되면서 삼염화실란을 생성하는 반응이 일어나는 반응부; 및상기 반응부와 연결되어, 반응부에서 생성된 생성물로부터 삼염화실란 성분을 필터링하는 분리부를 포함하고,상기 개질 반응부에 충진되는 금속 실리사이드는 구리(Cu) 실리사이드 또는 니켈(Ni) 실리사이드에서 선택되고,상기 개질 반응부에서 표면 개질 후 금속 실리사이드 입자의 표면에 존재하는 규소(Si) 대 구리(Cu)의 몰비 또는 규소(Si) 대 니켈(Ni)의 몰비가 1 이상 내지 30 이하의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조장치
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제 14항에 있어서,상기 분리부에서 필터링된 삼염화실란이 임시로 저장되는 저장부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란 제조장치
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제 14항에 있어서,상기 분리부는 삼염화실란을 저장부로 이송하는 제 1처리배관과, 삼염화실란을 제외한 나머지 성분을 반응부로 재 이송하는 제 2처리배관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란 제조장치
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제 14항에 있어서,상기 금속 실리사이드는 금속 성분으로 Al 또는 Fe를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼염화실란 제조장치
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제 14항에 있어서,상기 반응부는 고정층 반응기, 혼합형 반응기 및 유동층 반응기 중 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼염화실란의 제조장치
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