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하기 화학식 1로 표시되는 스트론튬 전구체:[화학식 1](상기 식에서, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R2, R3, R6, R7은 각각 독립적으로 H, C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, m, n은 각각 독립적으로 1 내지 3이고, a는 1 내지 3이다
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하기 화학식 3으로 표시되는 스트론튬 전구체:[화학식 3](상기 식에서, R1은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R2, R3은 각각 독립적으로 H, C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, R4, R5는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 트리알킬실릴기(-SiR3)이며, m, n은 각각 독립적으로 1 내지 3이고, a는 1 내지 3이다
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하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 스트론튬 전구체의 제조방법
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청구항 3에 있어서,a) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 Sr(NR4R5)2을 반응시키는 단계, 및 b) 상기 단계 a)에서 합성된 청구항 2의 화학식 3으로 표시되는 화합물에 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트론튬 전구체의 제조방법
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청구항 1의 스트론튬 전구체를 이용하여 스트론튬을 포함한 박막을 성장시키는 방법
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청구항 5에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
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