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고분자 콜로이드 결정을 포함하는 광열화 지시자로서, 전술한 고분자 콜로이드 결정은 50nm ~ 2㎛, 구체적으로는 100nm ~ 1㎛, 바람직하게는 200nm ~ 800nm 입자크기 및 균일한 크기분포 (사이즈 편차 10% 이내, 구체적으로는 5% 이내, 바람직하게는 3% 이내)를 갖는 고분자 콜로이드 입자로 형성되는 2차원 또는 3차원 콜로이드 결정이며, 전술한 고분자 콜로이드 결정의 광학적 성질의 변화추이 및/또는 입자형상의 변화로부터 광원의 강도 수준 및/또는 광열화 진행 정도를 정량화할 수 있는 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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제 1 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 입자는 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 폴리페닐메타크릴레이트, 폴리디페닐메틸메타크릴레이트, 폴리시클로헥실메타크릴레이트, 스티렌-아크릴로니트릴(SAN) 공중합체 및 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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제 1 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 입자는 무색이거나 염료가 입자 표면에 공유적으로 커플링되어 있는 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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제 1 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 입자는 100nm ~ 1㎛의 입자크기 및 균일한 크기분포 (사이즈 편차 5% 이내)를 갖는 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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제 1 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 결정의 광학적 성질의 변화추이는 3차원 콜로이드 결정의 광밴드갭의 피크강도의 감소추이 또는 2차원 콜로이드 결정의 광투과도의 감소추이인 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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제 1 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 결정의 형상의 변화는 광원(램프)에 따라 상이한 거동을 보여주는 2차원 또는 3차원 콜로이드 결정의 표면 모폴로지 변화이고, 이러한 거동으로부터 광열화 가속 여부를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 광열화 지시자
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고분자 콜로이드 입자로부터 고분자 콜로이드 결정을 형성시켜 광열화 지시자를 제조하고, 전술한 고분자 콜로이드 결정에 광을 조사하고 전술한 고분자 콜로이드 결정의 광학적 성질의 변화추이 및 형상의 변화추이를 측정하고, 전술한 광조사 전후의 광학적 성질 또는 형상의 변화로부터 광원의 강도 수준 또는 광열화 진행 정도를 정량화하는 것을 포함하는, 광열화 평가 방법
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제 7 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 결정의 광학적 성질의 변화추이는 3차원 콜로이드 결정의 광밴드갭의 피크강도의 감소추이 또는 2차원 콜로이드 결정의 광투과도의 감소추이인 것을 특징으로 하는 광열화 평가 방법
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제 7 항에 있어서, 전술한 고분자 콜로이드 결정의 형상의 변화는 광원(램프)에 따라 상이한 거동을 보여주는 2차원 또는 3차원 콜로이드 결정의 표면 모폴로지 변화이고, 이러한 거동으로부터 광열화 가속 여부를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 광열화 평가 방법
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