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파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름 및 광투과율의 조절 방법

  • 기술번호 : KST2015139538
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판 상부에 적층된 9 내지 120 nm 두께의 금속 산화물 층;을 포함하는 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름을 제공한다. 본 발명에 따른 필름은 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름으로써, 파장이 짧은 자외선 파장대(약 400 nm 이하)에서부터 파장이 긴 가시광선 파장대(약 400 내지 750 nm) 또는 그보다 긴 파장대(약 750 nm 이상) 영역까지 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절하여 적절히 필요한 파장대에서의 광투과율을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 필름은 향후 광통신 및 광컴퓨터 데이터 송수신 시스템, 광 메모리 저장, 3 차원 홀로그램, 3 차원 가상 체험 공간에서의 광 조명 특성 제어에 필요한 필름형 재료 제조의 기반 기술로 사용할 수 있다.
Int. CL G02B 1/10 (2015.01) G02B 5/20 (2006.01)
CPC G02B 5/282(2013.01) G02B 5/282(2013.01) G02B 5/282(2013.01) G02B 5/282(2013.01) G02B 5/282(2013.01)
출원번호/일자 1020140003804 (2014.01.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1551270-0000 (2015.09.02)
공개번호/일자 10-2015-0084132 (2015.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (20150909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재락 대한민국 대전 유성구
2 윤상준 대한민국 대전 서구
3 안기석 대한민국 대전 유성구
4 김형록 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0031408-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0086594-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070439-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0308389-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0308390-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0572792-04
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 및상기 실리콘 기판 상부에 적층된 16 내지 32 nm 두께의 산화주석 층;을 포함하는 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름
2 2
제1항에 있어서,상기 필름은 상기 실리콘 기판 및 산화주석 층의 두께를 통해 광투과율이 조절되는 것을 특징으로 하는 필름
3 3
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판 및 산화주석 층은 교대로 반복하여 적층되는 것을 특징으로 하는 필름
4 4
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 두께는 0
5 5
삭제
6 6
실리콘 기판을 준비하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 준비된 실리콘 기판 상부에 16 내지 32 nm 두께의 산화주석 층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 단계 1 및 상기 단계 2를 반복 수행하여 상기 실리콘 기판 및 산화주석 층이 교대로 반복하여 적층되는 것을 특징으로 하는 필름의 제조방법
8 8
실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판 상부에 적층되는 산화주석 층;을 포함하는 필름에서,상기 실리콘 기판 및 산화주석 층의 두께를 조절하되, 산화주석 층의 두께를 16 내지 32 nm로 조절하여, 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절하는 방법
9 9
삭제
10 10
제1항의 파장 증가에 따라 선형으로 광투과율이 증가되도록 조절된 필름을 포함하는 포장재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국화학연구원 기관고유사업 고효율 고내구성 연료전지 핵심 화학 소재 및 기반기술 개발