| 1 |
1
산화재료인 금속 A의 질산염(nitrate);연료재료인 금속 B의 하기 화학식 1로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B가 각각 인듐 및 아연; 또는 아연 및 인듐;일 때, 아연:인듐이 1:0
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 잉크 조성물은 산화재료로서 금속 C의 질산염(nitrate); 또는,연료재료로서 금속 C의 상기 화학식 1로 표현되는 착화물로부터 선택되는 1종 이상을 더 포함하고, 상기 금속 C는 갈륨 또는 아연이며, 금속 C는 상기 금속 A 및 금속 B와 서로 상이하고, 아연:인듐:갈륨이 1:1 내지 3:0
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 반도체 잉크 조성물은 안정제로서 모노에탄올아민을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 반도체 잉크 조성물은 용매를 더 포함하고, 산화재료, 연료재료 및 용매의 혼합물에서 산화재료 및 연료재료의 농도는 0
|
| 5 |
5
제 1 항의 반도체 잉크 조성물을 기판 상부로 인쇄 또는 코팅하여 막을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 막을 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 반도체 잉크 조성물을 이용한 반도체 박막의 제조방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 단계 1의 인쇄 또는 코팅은 잉크젯 프린팅, 롤 프린팅, 그라비아 프린팅, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 롤(roll) 코팅, 스핀 코팅, 바(bar) 코팅, 스프레이 코팅 및 딥(dip) 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법인 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 이용한 반도체 박막의 제조방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 단계 2의 열처리는 200 ℃ 내지 350 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 이용한 반도체 박막의 제조방법
|
| 8 |
8
제 5 항의 제조방법을 통해 기판 상부에 형성된 반도체 박막
|
| 9 |
9
기판(게이트전극) 및 제 8 항의 반도체 박막이 순차적으로 적층되고, 상기 반도체 박막 상부에 소스(source)와 드레인(drain) 전극이 적층되되, 상기 소스와 드레인 전극은 일정 간격으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 무기 박막 트랜지스터
|
