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가교형태의 실록산그룹함유 고분자분리막

  • 기술번호 : KST2015139684
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가교형태의 실록산그룹함유 고분자분리막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실록산다이아민과 다이카르복시산 유도체를 중합시킨 후 가교시키는 방법을 통해 제조한 실록산기가 반복되는 주쇄로 이루어진 가교형태의 고분자막으로 기체분리, 투과증발 등의 일반적인 막분리 공정에 적용되어 우수한 분리능을 나타내게 되는 고분자분리막에 관한 것이다.분리막, 투과증발막, 기체분리막,
Int. CL B01D 71/70 (2006.01)
CPC B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01) B01D 71/70(2013.01)
출원번호/일자 1019990015268 (1999.04.28)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0067454 (2000.11.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.04.28)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수복 대한민국 대전광역시유성구
2 김동권 대한민국 대전광역시유성구
3 김정훈 대한민국 대전광역시유성구
4 최영국 대한민국 대전광역시유성구
5 박인준 대한민국 대전광역시유성구
6 이광원 대한민국 대전광역시유성구
7 장연희 대한민국 서울특별시서초구
8 이희우 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application
1999.04.28 수리 (Accepted) 1-1-1999-0040403-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2001.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2001.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2001-0002015-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0100690-69
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2001.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0331786-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다음 화학식 1로 표시되는 실록산다이아민과 다이아실클로라이드, 다이설포닐클로라이드, 다이에시드, 다이안하이드라이드 및 모노에시드-모노안하이드라이드 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 다이카르복시산 유도체를 축중합시킨 후 이를 가교시켜 제조한 고분자막이며, 상기한 고분자 소재는 내부에 가교구조가 도입되어 있고 실록산기가 주쇄에 도입되어 있는 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산다이아민이 H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)2(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)4(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)5(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)8(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)9(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)10(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)14(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)18(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)20(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)21(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)25(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)28(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)32(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)40(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)41(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)50(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)51(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)52(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)60(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)80(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)90(Si(CH3)2)(CH2)3NH2, H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)92(Si(CH3)2)(CH2)3NH2 및 H2N(CH2)3(Si(CH3)2O)94(Si(CH3)2)(CH2)3NH2 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산다이아민에 불소가 함유되지 않은 다이아민이 80 중량% 미만의 범위내에서 함유되는 특징으로 하는 고분자분리막

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 불소가 함유되지 않은 다이아민은 m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 다이아미노벤조산, 다이아미노설폰산, 메틸렌다이아닐린, 옥시디아닐린 및 아이소프로필리덴다이아닐린 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 다이아실클로라이드는 테레프탈로일클로라이드 및 아이소프탈로일클로라이드 중에서 선택된 방향족 다이아실클로라이드와, 옥살릭클로라이드, 말로닉클로라이드, 숙시닉클로라이드 및 아디포일클로라이드 중에서 선택된 지방족 다이아실클로라이드가 1종 또는 2종 이상인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 다이안하이드라이드가 피로멜리틱 다이안하이드라이드(PMDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시릭 다이안하이드라이드(BTDA), 옥시다이프탈릭 다이안하이드라이드(ODPA), 헥사풀루오로아이소프로필리덴다이프탈릭 다이안하이드라이드(6FDA), 바이페닐테트라카르복시릭 다이안하이드라이드(BPDA), 및 바이싸이클로[2

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 다이설포닐 클로라이드가 1,4-벤젠다이설포닐 클로라이드와 그 이성질체인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 다이에시드는 다이아실클로라이드와 내부구조가 동일한 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 모노에시드-모노아실클로라이드가 트라이멜리틱안하이드라이드인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 분리막 소재로 적용된 고분자가 다음 화학식 2a 또는 2b로 표시되는 폴리아마이드, 폴리이미드, 및 폴리아미이드이미드, 폴리아마이드공중합체, 폴리이미드공중합체 또는 폴리아마이드-이미드공중합체인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

11 11

제 1 항에 있어서, 상기 고분자 소재를 1종 또는 2종 이상 혼합하여 비대칭형으로 제작한 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 고분자의 수평균 분자량이 1,000 ∼ 100,000 범위인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

13 13

제 11 항에 있어서, 상기 고분자 소재에 통상의 분리막 소재로 사용되고 있는 고분자를 첨가하거나, 또는 알루미나 및 실리카 중에서 선택된 무기재료를 첨가하거나, 또는 알루미늄 및 철 중에서 선택된 금속파우더를 첨가하여 비대칭형으로로 제작한 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

14 14

제 1 항에 있어서, 상기 고분자 소재를 분리막 지지체로 통상적으로 사용되고 있는 고분자 또는 세라믹에 코팅하여 평막 또는 중공사형태로 제작한 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

15 15

제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 고분자의 수평균 분자량이 1,000 ∼ 100,000 범위인 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

16 16

제 1 항에 있어서, 상기 고분자분리막은 평판형, 중공사형 또는 나권형으로 제작된 것임을 특징으로 하는 고분자분리막

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.