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온도특성이향상된전도성고분자화합물의제조방법

  • 기술번호 : KST2015139686
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 구조식(I)의 음이온 중의 하나와 다른 음이온이 도판트로 같이 존재하고, 구조식(I)의 음이온이 0.1% 내지 50%, 다른 음이온이 1% 내지 30% 각각 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 특성이 향상된 하기 구조식(II)로 표시되는 전도성 고분자 화합물의 제조방법에 관한 것이다.위식에서, M+은 Na+, K+, (C2H5)4N+ 또는 (C4H9)4N+이고, R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일 또는 상이한 것으로서, 각각 H, 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸, 옥틸, 도데실기 중 하나이다.윗식에서, R은 NH 또는 S이고, D는 톨루엔술포네이트, 1-나프탈렌술포네이트, 2-나프탈렌술포네이트 중의 하나 또는 복수개이고, 여기서 x에 대한 y의 비율은 0.1% 내지 50%이고, z의 비율은 1% 내지 30%이다.
Int. CL C08K 5/42 (2006.01)
CPC C08K 5/42(2013.01) C08K 5/42(2013.01) C08K 5/42(2013.01) C08K 5/42(2013.01)
출원번호/일자 1019930019028 (1993.09.20)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0124125-0000 (1997.09.23)
공개번호/일자 10-1995-0008592 (1995.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (19971124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이서봉 대한민국 대전직할시유성구
2 이창진 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 서초구 방배천로**길 *, *층 대양국제특허법률사무소 (방배동, 인성빌딩)
2 김윤배 대한민국 서울특별시 종로구 우정국로 ** 동덕빌딩 *층(세한국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0099567-99
2 특허출원서
Patent Application		 1993.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0099565-08
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.20 수리 (Accepted) 1-1-1993-0099566-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0041469-13
5 의견서
Written Opinion		 1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0099569-80
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0099568-34
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0041470-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1

하기 구조식(I)의 음이온 중의 하나와 다른 음이온이 도판트로 같이 존재하고, 구조식(I)의 음이온을 0

2 2

제1항에 있어서, 다른 음이온이 염소 음이온, 퍼설페이트 및 톨루엔술포네이트로 되는 군중에서 선택된 하나 또는 복수개임을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 구조식(I)의 음이온이 크레졸술포네이트, 디메틸페놀술포네이트 및 하이드록시 나프탈렌술포네이트로 되는 군중에서 선택된 하나 또는 복수개임을 특징으로 하는 전도성 고분자 화합물의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02546617 JP 일본 FAMILY
2 JP02546617 JP 일본 FAMILY
3 JP07238149 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2546617 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7238149 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07238149 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.