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형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015139850
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요약 본 발명은 발광다이오드의 몰드 물질에 포함되는 형광체에 있어서, 400 ~ 480nm영역에 주피크를 가진 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 550 ~ 600nm 영역에 주피크를 갖으며 Sr3-xSiO5:Eu2+x(0 x ≤1)의 화학식을 갖는 실리케이트계 황색 형광체와, 상기 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 550nm영역에 주피크를 갖는 Ba2-xSiO4:Eu2+x 또는 Ca1-xMgSi2O7:Eu2+x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+x(0.001≤x ≤1)중 어느 하나의 실리케이트계 녹색 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 형광체와 상기 형광체를 이용한 백색 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명에 의하면 종래의 YAG:Ce 형광체를 이용한 백색 발광다이오드 보다 높은 색온도 및 연색성지수를 갖는 백색 발광 다이오드를 제공할 수 있으며, 또한 실리케이트계 황색 형광체와 실리케이트계 녹색 형광체의 혼합 비율을 변화시킴으로써 색좌표 및 색온도, 연색성 지수의 제어를 가능하게 한다. 실리케이트계 황색 형광체, 실리케이트계 녹색 형광체, 발광다이오드
Int. CL H01L 33/50 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020040023695 (2004.04.07)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0605211-0000 (2006.07.19)
공개번호/일자 10-2005-0098462 (2005.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.07)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창해 대한민국 대전광역시유성구
2 박정규 대한민국 대전광역시유성구
3 김상기 대한민국 광주광역시광산구
4 김충열 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0142389-61
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0042257-46
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0212837-69
4 의견서
Written Opinion
2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0212838-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
7 등록결정서
Decision to grant
2006.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0400776-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
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2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
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2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
1 1
발광다이오드의 몰드 물질에 포함되는 형광체에 있어서, 상기 형광체는, 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 550 ~ 600nm 영역에 주피크를 갖는 제 1 실리케이트계 형광체와, 상기 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 550nm영역에 주피크를 갖는 제 2 실리케이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 실리케이트계 형광체는, Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 2 실리케이트계 형광체는, Ba2-xSiO4:Eu2+ x, Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 형광체
5 5
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체의 입자의 크기는 d90≤20㎛, 5≤d50 ≤10㎛ 인 것을 특징으로 하는 형광체
6 6
발광다이오드의 몰드 물질에 포함되는 형광체에 있어서, 상기 형광체는, 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되는 화학식 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와, 상기 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되는 화학식 Ba2-xSiO4:Eu2+ x , Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
7 7
리드프레임과, 발광다이오드 칩과, 상기 리드프레임과 발광다이오드 칩의 통전을 위한 연결수단과, 상기 발광다이오드 칩 주위 전체를 몰딩한 광투과 수지를 포함하는 백색 발광다이오드에 있어서, 상기 광투과 수지에는 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와 Ba2-xSiO4:Eu2+ x , Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
8 8
제 7항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
9 9
제 8항에 있어서, 상기 백색 발광다이오드가 탑뷰 방식의 경우에는, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율이 1:2 ~ 1:3인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
10 10
제 8항에 있어서, 상기 백색 발광다이오드가 사이드뷰 방식의 경우에는, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율이 1:3 ~ 1:4인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
11 11
리드프레임과, 상기 리드프레임에 실장되는 발광다이오드 칩과, 상기 리드프레임과 발광다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 연결수단과, 상기 발광다이오드 칩 주위 전체를 몰딩한 다중구조의 광투과 수지를 포함하는 백색 발광다이오드에 있어서, 상기 광투과 수지 중 적어도 어느 하나에는 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와 Ba2-xSiO4:Eu2+ x, Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
12 12
제 11항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
13 12
제 11항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01733441 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01733441 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP18527501 JP 일본 FAMILY
4 US07531956 US 미국 FAMILY
5 US20060284185 US 미국 FAMILY
6 WO2005098972 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1788361 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1788361 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE602005024941 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 EP1733441 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1733441 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP1733441 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 JP2006527501 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2006527501 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP2006527501 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 US2006284185 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US7531956 US 미국 DOCDBFAMILY
12 WO2005098972 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.