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발광다이오드의 몰드 물질에 포함되는 형광체에 있어서, 상기 형광체는, 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 550 ~ 600nm 영역에 주피크를 갖는 제 1 실리케이트계 형광체와, 상기 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되어 500 ~ 550nm영역에 주피크를 갖는 제 2 실리케이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 실리케이트계 형광체는, Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 형광체
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제 1항에 있어서, 상기 제 2 실리케이트계 형광체는, Ba2-xSiO4:Eu2+ x, Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 형광체
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체의 입자의 크기는 d90≤20㎛, 5≤d50 ≤10㎛ 인 것을 특징으로 하는 형광체
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발광다이오드의 몰드 물질에 포함되는 형광체에 있어서, 상기 형광체는, 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되는 화학식 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와, 상기 화합물 반도체에서 발생되는 광에 의하여 여기되는 화학식 Ba2-xSiO4:Eu2+ x , Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
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7
리드프레임과, 발광다이오드 칩과, 상기 리드프레임과 발광다이오드 칩의 통전을 위한 연결수단과, 상기 발광다이오드 칩 주위 전체를 몰딩한 광투과 수지를 포함하는 백색 발광다이오드에 있어서, 상기 광투과 수지에는 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와 Ba2-xSiO4:Eu2+ x , Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
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8
제 7항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 8항에 있어서, 상기 백색 발광다이오드가 탑뷰 방식의 경우에는, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율이 1:2 ~ 1:3인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 8항에 있어서, 상기 백색 발광다이오드가 사이드뷰 방식의 경우에는, 상기 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율이 1:3 ~ 1:4인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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리드프레임과, 상기 리드프레임에 실장되는 발광다이오드 칩과, 상기 리드프레임과 발광다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 연결수단과, 상기 발광다이오드 칩 주위 전체를 몰딩한 다중구조의 광투과 수지를 포함하는 백색 발광다이오드에 있어서, 상기 광투과 수지 중 적어도 어느 하나에는 Sr3-xSiO5:Eu2+ x(0 < x ≤1)인 제 1 실리케이트계 형광체와 Ba2-xSiO4:Eu2+ x, Ca1-xMgSi2O7:Eu2+ x 또는 Sr2-xSiO4:Eu2+ x(0
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제 11항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제 11항에 있어서, 상기 광투과 수지에 포함되는 제 1 실리케이트계 형광체와 제 2 실리케이트계 형광체의 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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