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A) 화학식 7 의 화합물의 옥심 보호기를 제거하고, 화학식 8 의 화합물을 제조하는 단계;B) 화학식 8 의 화합물을 브롬화 반응하여 화학식 9 의 화합물을 제조하는 단계;C) 화학식 9 의 화합물을 선택적으로 환원하고, 고리화하여 화학식 10 의 화합물을 제조하는 단계;D) 화학식 10 의 화합물의 하이드록시기를 에틸아민으로 치환 반응하여 화학식 11 의 화합물을 제조하는 단계; 및 E) 화학식 11 의 화합물의 아민 보호기를 제거하여 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계; 를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 화학식 7 의 화합물은,가-1) 화학식 2 의 화합물을 아연과 반응하여 화학식 4의 화합물을 제조하는 단계;가-2) 화학식 4 의 화합물을 술폰화 반응 후 메톡시 프로필 아민과 반응하여 화학식 5 의 화합물을 제조하는 단계;가-3) 화학식 5 의 화합물을 벤질멀캅탄과 반응하여 화학식 6 의 화합물을 제조하는 단계; 및가-4) 화학식 6 의 화합물과 클로로술폰아미드와 반응한 후 화학식 B 의 아민과 반응하여 아민 보호기를 가지는 화학식 7 의 화합물을 제조하는 단계; 를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 화학식 7 의 화합물은,나-1) 하기 화학식 3 의 화합물과 화학식 A 의 알콕시 아민과 반응하여 옥심 보호기를 가지는 화학식 4 의 화합물을 제조하는 단계; 나-2) 화학식 4 의 화합물을 술폰화 반응 후 메톡시 프로필 아민과 반응하여 화학식 5 의 화합물을 제조하는 단계;나-3) 화학식 5 의 화합물을 벤질멀캅탄과 반응하여 화학식 6 의 화합물을 제조하는 단계; 및나-4) 화학식 6 의 화합물과 클로로술폰아미드와 반응한 후 화학식 B 의 아민과 반응하여 아민 보호기를 가지는 화학식 7 의 화합물을 제조하는 단계; 를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 A) 단계에서, 옥심 보호기를 제거는 산조건 하에서 수행되는 것인 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 C) 단계에서, 하기 화학식 9의 화합물을 (+)-B-클로로디아이소피노캄페일보란을 이용하여 선택적으로 환원하고, 염기 조건하에서 고리화하여 화학식 10 의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 C) 단계에서, 화학식 10 의 화합물의 하이드록시기를 이탈기로 제조한 후 에틸아민과의 치환반응을 통하여 화학식 11 의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 가-2) 단계에서, 화학식 4 의 화합물을 클로로황산과 반응하여 술폰산기를 도입하고, 이를 클로로화 반응 후 메톡시 프로필 아민과 반응하여 화학식 5 의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 화학식 1 의 브린졸아마이드의 제조방법
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