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화학증착에의해비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헤탄디오나토)아연으로부터산화아연막을형성하는방법

  • 기술번호 : KST2015139977
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연 막을 형성하는 것이 개시되어 있으며, 이 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 및 질화붕소의 막을 성장시킬 수도 있다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1019950041205 (1995.11.14)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0030475 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤수 대한민국 대전광역시유성구
2 이원식 대한민국 대전광역시달서구
3 김창균 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 조현실 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, 한라클래식빌딩 *층 (역삼동)(한성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163372-08
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163374-99
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163373-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0086458-89
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163375-34
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0467495-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질위에 산화아연 막을 형성하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기질이 규소 웨이퍼(111)면인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 기질이 C-사파이어인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 화학증착에서 상기 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연의 운반 기체가 산소인 것을 특징으로하는 방법

5 5

비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연을 막을 형성하고, 상기 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 또는 질학붕소 막을 추가로 형성하는 방법

6
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.