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니켈 원과 산소 원을 선구 물질로 사용하여 원자층 침착법 (ALD)에 의해 기질 위에 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에서, 니켈 원으로서 하기 화학식 1로 나타낸 니켈 아미노알콕사이드를 사용함을 특징으로 하는 니켈 산화물 박막의 제조 방법: 화학식 1 상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬기다
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제 1 항에서, 화학식 1에서 m이 1 또는 2임을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 산소 원으로 물, 산소, 또는 오존을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에서, 산소 원으로 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 니켈 원의 온도를 실온에서 120 ℃까지 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 기질의 온도를 80 ℃에서 400 ℃까지 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 6 항에서, 기질의 온도를 90 ℃에서 170 ℃까지 변화시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 기질로 실리콘 (Si) 웨이퍼, 게르마늄 (Ge) 웨이퍼, 탄화규소 (SiC) 웨이퍼, 유리, 또는 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 1) 니켈 원으로 니켈 아미노알콕사이드를 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 니켈 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 니켈 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 니켈 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계, 및 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에서, 1) 니켈 원으로 니켈 아미노알콕사이드를 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 니켈 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 니켈 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 니켈 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계, 및 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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