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규소 기질 위에 질화갈륨 막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015140026
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 규소(111) 기질 위에 아연의 화합물을 화학 증착시켜 산화아연 완충층을 형성하고, 사이 완충층 위에 유기갈륨 화합물을 화학 증착시켜 질화갈륨 막을 형성하는 것을 포함하는 규소 기질에 질화갈륨 막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/02472(2013.01) H01L 21/02472(2013.01) H01L 21/02472(2013.01)
출원번호/일자 1019960014101 (1996.05.01)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0191737-0000 (1999.01.26)
공개번호/일자 10-1997-0077347 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.01)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤수 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 박준택 대한민국 대전광역시 유성구
4 김윤수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 조현실 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, 한라클래식빌딩 *층 (역삼동)(한성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 한국화학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1996-0056680-13
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1996-0056681-58
3 특허출원서
Patent Application		 1996.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1996-0056679-66
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0427598-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1

규소(111) 기질 위에 아연 화합물을 화학 증착시켜 산화아연 완충층을 형성하고, 상기 완충층 위에 유기갈륨 화합물을 화학 증착시켜 질화갈륨 막을 형성하는 것을 포함하는 규소 기질 위에 질화갈륨 막을 형성하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 아연 화합물이 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연, 아세틸아세톤산아연 또는 아세트산아연인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 유기갈륨 화합물이 비스(디에틸-μ-아미도-갈륨) 또는 비스[디메틸(1,1-디메틸히드라지도)갈륨]인 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.