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광흡수 구조체가 구비된 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140043
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 a) 제1전극 상부에 다공성 금속산화물층을 형성하여 다공성 전극을 제조하는 단계; b) 다공성 전극에 광흡수체가 용해된 광흡수체 용액을 도포 및 건조하는 단계; 및 c) 유기 정공전달물질이 용해된 정공전달 용액을 도포 및 건조하여 홀 전도층을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020130110025 (2013.09.12)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1547877-0000 (2015.08.21)
공개번호/일자 10-2014-0035285 (2014.03.21) 문서열기
공고번호/일자 (20150827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120101186   |   2012.09.12
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.12)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석상일 대한민국 대전광역시 유성구
2 임상혁 대한민국 대전 유성구
3 노준홍 대한민국 대전광역시 유성구
4 허진혁 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0837365-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0598343-34
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-5000924-11
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-5005368-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0165605-49
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0424640-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0537215-70
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0653195-32
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0653175-29
10 등록결정서
Decision to grant
2015.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0495666-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 제1전극 상부에 다공성 금속산화물층을 형성하여 다공성 전극을 제조하는 단계;b) 다공성 전극에 광흡수체가 용해된 광흡수체 용액을 도포 및 건조하여, 다공성 금속산화물층에 광흡수체가 채워진 복합층 및 상기 복합층 상에 위치하며, 광흡수체 필라, 광흡수체 박막, 또는 광흡수체 박막상 돌출된 광흡수체 필라를 포함하는 광흡수 구조체를 형성하는 단계; 및c) 유기 정공전달물질이 용해된 정공전달 용액을 도포 및 건조하여 홀 전도층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 복합층 및 상기 광흡수 구조체는 상기 광흡수체 용액의 단일 도포 및 건조에 의해 동시 형성되는 태양전지의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 광흡수체 용액의 도포는 스핀 코팅을 포함하는 태양전지의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 다공성 금속산화물층의 두께는 50nm 내지 800nm인 태양전지의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 다공성 금속산화물층의 기공률은 30 내지 65%인 태양전지의 제조방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 광흡수체 용액은 하기 관계식 2를 만족하는 태양전지의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 4항에 있어서,상기 스핀 코팅은 다공성 전자전달층 상부에 광흡수체 용액의 막이 잔류하도록 수행되는 태양전지의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 광흡수체 용액의 광흡수체는 무/유기 하이브리드 페로브스카이트(Inorganic-Orgaic Hybrid perovskites) 화합물인 태양전지의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 광흡수체 용액의 광흡수체는 하기 화학식 1 내지 2를 만족하는 화합물에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 태양전지의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 유기 정공전달물질은 단분자 내지 고분자 정공전도성 유기물인 태양전지의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 유기 정공전달물질은 고분자 정공전도성 유기물인 태양전지의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 유기 정공전달물질은 티오펜계, 파라페닐렌비닐렌계, 카바졸계 및 트리페닐아민계에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 정공 전도성 고분자인 태양전지의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 유기 정공전달물질은 티오펜계 및 트리페닐아민계에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 정공 전도성 고분자인 태양전지의 제조방법
15 15
제 1항에 있어서,상기 유기 정공전달물질은 하기 화학식 3을 만족하는 유기물을 포함하는 태양전지의 제조방법
16 16
제 1항에 있어서,상기 b) 단계에서,광흡수체 용액의 도포 및 건조를 일 단위공정으로, 상기 단위공정이 반복 수행되는 태양전지의 제조방법
17 17
제 1항에 있어서,상기 b) 단계 후, c) 단계 전,상기 광흡수체 박막 또는 광흡수체 필라를 건식 에칭하는 단계;를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
18 18
제 1항에 있어서,c) 단계 후, 다공성 전극의 대전극인 제2전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
19 19
제 1항에 있어서,a) 단계는a1) 리지드 기판 또는 플렉시블 기판 상 제1전극을 형성하는 단계; 및a2) 제1전극 상부에 금속산화물 입자를 함유하는 슬러리를 도포 및 건조한 후 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
20 20
제 19항에 있어서,a1) 단계 후, a2) 단계 전,제1전극 상부에 금속산화물 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
21 21
제 1항에 있어서,상기 다공성 금속산화물층의 금속산화물은 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, SrTi산화물 및 이들의 복합물 중에서 하나 또는 둘 이상의 선택되는 태양전지의 제조방법
22 22
제 1항 내지 제 6항 및 제 8항 내지 제 21항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104737254 CN 중국 FAMILY
2 EP02897178 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06262739 JP 일본 FAMILY
4 JP06564001 JP 일본 FAMILY
5 JP27529982 JP 일본 FAMILY
6 JP30026586 JP 일본 FAMILY
7 KR101504295 KR 대한민국 FAMILY
8 KR101531536 KR 대한민국 FAMILY
9 KR101531545 KR 대한민국 FAMILY
10 KR101547870 KR 대한민국 FAMILY
11 US10546697 US 미국 FAMILY
12 US20150228415 US 미국 FAMILY
13 WO2014042447 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
14 WO2014042447 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
15 WO2014042449 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
16 WO2014042449 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104737254 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104737254 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2015529982 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2018026586 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6262739 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP6564001 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 TW201427062 TW 대만 DOCDBFAMILY
8 TWI514609 TW 대만 DOCDBFAMILY
9 WO2014042447 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO2014042447 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 국제공동(협력)사업 나노구조 무/유기 하이브리드 소재를 이용한 고효율 태양전지 기술개발
2 교육과학기술부 한국화학연구원 원천기술개발사업 식물 양자 에너지 모방 광에너지 변환 기술