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티-부틸산티탄을 이용한 이산화티탄의 증착 방법

  • 기술번호 : KST2015140114
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 티-부틸산티탄을 사용하여 이산화티탄을 화학증착시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 제조된 이산화티탄 막은 탄소함량이 낮고, 400℃정도의 낮은 온도에서도 루틸 상 구조를 형성할 수 있다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01)
CPC C23C 16/405(2013.01) C23C 16/405(2013.01)
출원번호/일자 1019970031003 (1997.07.04)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0250598-0000 (2000.01.05)
공개번호/일자 10-1999-0008863 (1999.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.07.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤수 대한민국 대전광역시 유성구
2 고원용 대한민국 대전광역시 유성구
3 구수진 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 이남경 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.07.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0097978-42
2 특허출원서
Patent Application
1997.07.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0097977-07
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.07.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0097979-98
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1997.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0097980-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0188083-22
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.08.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5295866-34
9 의견서
Written Opinion
1999.08.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5295865-99
10 등록사정서
Decision to grant
1999.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0310341-93
11 FD제출서
FD Submission
1999.12.03 수리 (Accepted) 2-1-1999-5205037-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

티-부틸산티탄을 기화시켜 생성된 기체를 250 내지 400℃범위의 온도로 유지된 기질에 접촉시켜 열화학 증착에 의해 기질 상에 이산화티탄 막을 형성하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기질의 온도를 400℃로 하여 루틸상의 이산화티탄 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 기질이 규소 단결정임을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.