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고순도반도체규소박판을이용한고순도반도체재료인규소의제조방법및장치

  • 기술번호 : KST2015140117
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC C30B 15/14(2013.01) C30B 15/14(2013.01) C30B 15/14(2013.01) C30B 15/14(2013.01) C30B 15/14(2013.01) C30B 15/14(2013.01)
출원번호/일자 1019860010220 (1986.12.01)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0031273-0000 (1990.01.19)
공개번호/일자 10-1988-0008409 (1988.08.31) 문서열기
공고번호/일자 1019890002965 (19890814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1986.12.01)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤풍 대한민국 서울시강남구
2 김만영 대한민국 충청남도대전시중구
3 소원욱 대한민국 전남광주시지

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신용길 대한민국 서울특별시 금천구 서부샛길 ***, 에이동 ***호(가산동)(신전국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국화학연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1986.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1986-0058353-99
2 특허출원서
Patent Application		 1986.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1986-0058351-08
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1986.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1986-0058352-43
4 보정통지서
Request for Amendment		 1986.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0038442-89
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1986.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1986-0058354-34
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1989.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0038443-24
7 등록사정서
Decision to grant		 1989.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0038445-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유도가열부 또는 저가하열부(4a)(4b)에 의해 가열되는 흑연 또는 탄소도가니(1)의 내부에 석영도가니(2)를 내장하여 순수한 규소를 넣어 용융시키는 것과, 흑연 또는 탄소도가니(1)의 하부에 석영주형(6)이 내장된 흑연주형(5)을 설치하여 상기 용융된 규소(9)를 석영주형(6)내에 쏟아부어 방향성 응고법에 의해 규소잉곳(10)을 제조하는 것과, 상기 제조된 규소잉곳을 결정성장 방향으로 절단하여 고순도 규소박판(26a)(26b)을 제조하는 것과, 통상의 반응기 본체(15) 내부에 상기 고순도 규소박판(26a)(26b)을 입설하여 일정한 압력하에서 그 고순도 규소박판(26a)(26b)을 입설하여 일정한 압력하에서 그 고순도 규소박판(26a)(26b)의 온도를 반응기체의 열분해 온도까지 가열시켜 고순도 반도체 재료인 규소를 제조함을 특징으로 하는 고순도반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 흑연 또는 탄소도가니(1)와 석영도가니(2)내에 온도를 1420-1500℃까지 가열하여 규소를 용융하는 것을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 흑연 및 석영주형(5)(6)의 온도를 최고 1200℃까지 예열되게 유도가열함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 석영주형(6)을 흑연주형(5)내에 조립 및 분리토록하여 재사용함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체재료인 규소의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 제조된 고순도 규소를 절단하여 규소박판을 만든뒤 이 박판을 반응기에 설치하여 반도체 재료인 규소를 제조함을 특징으로 하는 고순도반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 고순도 규소박판(26a)(26b)의 온도를 1000-1300℃까지 가열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 반도체 재료인 규소의 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서, 반응기본체(15) 내부의 조작압력을 1-10기압으로 유지시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

8 8

제 1 항에 있어서, 반응기본체(15) 내로 공급되는 반응기체는 수소, 트리클로로실란(SiHCl3), 사염화규소(SiCl4), 디클로로실란(SiH2Cl2) 등으로 수소와 트리클로로실란, 사염화규소, 디클로로실란 또는 수소와 클로로실란 사이의 평균 몰비가 최고 1

9 9

제 1 항에 있어서, 한쌍의 고순도 규소박판(26a)(26b)을 1열종대 또는 다수열의 종대로 다수쌍을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

10 10

제 1 항 내지 제 9 항에 있어서, 한쌍의 고순도 규소박판(26a)(26b)을 원주방향으로 다수쌍을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법

11 11

양측에 전극봉(25a)(25b)이 고정설치된 수냉금속판(11)의 상부에 종형반응기벽(12) 및 2중자켓(14)을 입설시킨 통상의 반응기본체(15)에 있어서, 수냉금속판(11)의 상부 양측에 고순도 규소박판(26a)(26b)을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 재조장치

12 12

제11항에 있어서, 일측전극봉(25a)에 테프론(35)(36)을 고정설치하여 수냉금속판(11)과 절연시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치

13 13

제11항에 있어서, 양측 전극봉(25a)(25b)에 각각 흑연조임 블록(27a)(27b)을 고정설치하여 고순도 규소박판(26a)(26b)을 고정 및 전원공급되게 함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치

14 14

제11항에 있어서, 수냉금속판(11)의 상면부에 불투명 석영판(31)을 설치하여 단열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치

15 15

제14항에 있어서, 불투명 석영판(31)에 반응기체의 출입을 원활하게 하도록 구멍(32)(33)을 형성하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도반도체 재료인 규소의 제조장치

16 16

제14항 내지 제15항에 있어서, 불투명 석영판(31)에 형성된 구멍(21)(22)을 동심선상으로 조합하여 하나의 출입구로 형성하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치

17 17

제14항 내지 제15항에 있어서, 불투명석영판(31)에 하나의 반응기체의 출구(24)와 다수개의 반응기체의 입구(23)를 형성하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치

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