| 1 |
1
분무열분해법으로 실리케이트계 형광체를 제조함에 있어서, 1) 아연의 전구체 물질 또는 이트륨의 전구체 물질과; 규산의 전구체 물질로서 나노미터 크기의 실리카 분말과; 망간, 세륨, 테르븀 또는 유로퓸의 전구체 물질을 증류수나 알코올에 용해시켜 0
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 규산의 전구체 물질로는 나노미터 크기의 실리카 분말 단독 사용하거나, 또는 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)와 상기 실리카 분말을 0 : 100 ∼ 99 : 1 몰비로 혼합 사용하는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 테트라에틸 오르토실리케이트(TEOS)는 산 용액에서 수화 반응을 일으켜 용해된 상태로 첨가시키고, 상기 나노미터 크기의 실리카 분말은 기상 혹은 액상법으로 제조된 것으로 용액에 분산시킨 상태로 첨가시키는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 아연의 전구체 물질은 아연의 질산염, 초산염 및 염화물 중에서 선택되고, 상기 이트륨의 전구체 물질은 이트륨의 질산염, 초산염 및 염화물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 망간, 세륨, 테르븀 또는 유로퓸의 전구체 물질은 황화물, 염화물, 초산염 및 질산염 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 1), 2), 3)공정 이후에 후처리 공정으로서, 직접 산화 공정이나 직접 환원 공정, 또는 산화/환원 복합 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 직접 산화 공정은 1000 ∼ 1500 ℃의 온도에서 1 ∼ 10시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 직접 환원 공정은 1000 ∼ 1500 ℃의 온도에서 2 ∼ 10 % 수소/질소 혼합가스를 이용하여 1 ∼ 10시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서, 상기 산화/환원 복합 공정은 1000 ∼ 1500 ℃의 온도에서 1 ∼ 10시간 동안 열처리한 다음, 700 ∼1200 ℃의 온도에서 2 ∼ 10 % 수소/질소 혼합가스를 이용하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 구상 실리케이트계 형광체의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 분무장치는 초음파 분무장치, 정전분무장치, 공기노즐 분무장치, 초음파노즐 분무장치 또는 필터액적 발생장치(filter expansion aerosol generator, FEAG)인 것을 특징으로 하는 규화아연계 및 규화이트륨계 형광체의 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
