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툴리움을 포함하는 저전압용 청색 형광체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140143
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 형광 표시관의 발광부에 사용되고, 전자선으로 여기되어 발광하는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 형광체 모체인 갈륨산아연(ZnGa2O4)에 공부활제로 산화툴리움과 탄산리튬을 첨가함으로써 저속 전자선에서 발광휘도와 색순도가 우수하고, 고진공에서도 안정한 물성을 가지며, 저전압 전자선 여기에 의해 구동하는 전계방출디스플레이(Field Emission Display ; FED)에 적합하도록 고휘도를 갖는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.화학식 1(Zn1-aLia)(Ga1-bTmb)2O4상기 화학식 1에서 0.05≤a≤0.25이고, 0≤b≤0.1이다.산화툴리움, 탄산리튬, 형광체, 갈륨산아연, 전계방출
Int. CL C09K 11/78 (2006.01)
CPC C09K 11/7745(2013.01) C09K 11/7745(2013.01) C09K 11/7745(2013.01) C09K 11/7745(2013.01) C09K 11/7745(2013.01)
출원번호/일자 1020000055830 (2000.09.22)
출원인 대주전자재료 주식회사, 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0348967-0000 (2002.08.02)
공개번호/일자 10-2002-0023058 (2002.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20020817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.09.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대주전자재료 주식회사 대한민국 경기도 시흥시
2 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명진 대한민국 대전광역시서구
2 전애경 대한민국 서울특별시영등포구
3 정경원 대한민국 경기도성남시분당구
4 류호진 대한민국 대전광역시 유성구
5 김용태 대한민국 전라북도정읍시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 대주전자재료 주식회사 대한민국 경기도 시흥시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2000-0199241-99
2 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 2000.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2000-5347416-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2001.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2001-5138383-73
5 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2001.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2001-5138382-27
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0228200-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2003-0025462-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013865-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1

하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산아연계 청색 형광체;

화학식 1

(Zn1-aLia)(Ga1-bTmb)2O4

상기 화학식 1에서 0

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 산화툴리움이 갈륨산아연에 대하여 0

3 3

제 1 항에 있어서,상기 산화리튬이 갈륨산아연에 대하여 0

4 4

갈륨산아연을 모체로 하고, 여기에 산화툴리움과 탄산리튬을 첨가하고, 혼합하는 단계;

상기 혼합단계에서 수득된 혼합물을 건조시키고, 대기중에서 1,200℃에서 소성시키는 단계;

상기 소성단계에서 수득된 소성물을 냉각하고, 1,000℃ 이하의 약환원성 분위기에서 열처리하는 단계; 및

분쇄 등의 후처리단계;

들을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산아연계 청색 형광체의 제조방법;

화학식 1

(Zn1-aLia)(Ga1-bTmb)2O4

상기 화학식 1에서 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.