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단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140253
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다.나아가 복합박막 내 도핑영역층의 위치 및 이의 도판트 농도에 따라 다양한 전자기적 특성에 영향을 미치며, 따라서 도핑영역층의 위치 및 농도를 조절함으로써 박막의 전자기적 특성을 목적에 따라 손쉽게 조절할 수 있다. 본 발명에 따른 복합박막은 단원자 증착법으로 제조됨으로써, 간단한 공정을 통하여 박막의 광학적 및 전자기적 특성을 제어할 수 있으며, 별도의 추가 공정이나 복수의 막을 따로따로 제조할 필요가 없기 때문에 생산 단가 측면에서도 유리하다.
Int. CL C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130126765 (2013.10.23)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0048259 (2015.05.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160037008;
심사청구여부/일자 Y (2013.10.23)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정윤장 대한민국 서울시 강남구
2 이영국 대한민국 대전 유성구
3 최원진 대한민국 서울 은평구
4 이정오 대한민국 대전시 유성구
5 정택모 대한민국 대전 유성구
6 김창균 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0960459-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0005216-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0069502-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0309892-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0419249-87
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0520117-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0629503-05
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0629510-14
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0827042-94
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.12.30 수리 (Accepted) 7-1-2015-0059730-88
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0095302-33
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0095323-92
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145595-46
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0296429-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막에 있어서,상기 도핑영역층은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법으로 형성된 적층구조로서, 도판트 전구체를 이용하여 형성된 도판트 원자층 1 이상을 구비한 것이 특징인 복합박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 도핑영역층은 박막 매트릭스 전구체를 이용하여 형성된 박막 매트릭스 원자층 1 이상을 추가로 구비하며,도판트 원자층과 박막 매트릭스 원자층의 적층시 일정한 ALD사이클 순환 규칙에 따라 적층되거나, 일정한 규칙 없이 적층된 것이 특징인 복합박막
3 3
제2항에 있어서, 상기 도핑영역층 내 도판트 원자층은 N개이고, 박막 매트릭스 원자층은 M개일 때(N과 M은 1 이상의 정수),N:M은 1:1 내지 1:40인 것이 특징인 복합박막
4 4
제1항에 있어서, 상기 도핑영역층 내 도판트 전구체를 이용하여 형성된 2개 이상의 도판트 원자층이 연속적으로 적층된 것이 특징인 복합박막
5 5
제1항에 있어서, 상기 복합박막은 기판 상에 형성된 것이 특징인 복합박막
6 6
제1항에 있어서, 상기 복합박막은 DRAM의 절연막이고, 상기 도핑영역층은 전극과 접합하는 부위에 형성되어 있는 것이 특징인 복합박막
7 7
제1항에 있어서, 상기 복합박막은 박막 트랜지스터의 동작층이고, 상기 도핑영역층은 반도체와의 계면에 형성되어 있는 것이 특징인 복합박막
8 8
제1항에 있어서, 상기 복합박막은 박막 트랜지스터의 동작층이고, 상기 도핑영역층은 복합박막의 표면에 형성되어 있는 것이 특징인 복합박막
9 9
제1항에 있어서, 상기 도핑영역층은 2nm 내지 4nm인 것이 특징인 복합박막
10 10
제2항에 있어서, 상기 도판트 전구체 및 박막 매트릭스 전구체는 각각 서로 다른 금속 소스 화합물이며, 상기 금속은 Ti, Hf, Zr, Si, Al, Ta, Sr, Ba, Sc, Y, La, Eu 및 Dy로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 복합박막
11 11
제2항에 있어서, 상기 도판트 전구체는 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum, TMA)을 포함하고,상기 박막 매트릭스 전구체는 디에틸 아연(dietyl zinc, DEZ)을 포함하는 것이 특징인 복합박막
12 12
단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 기판 상에, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 복합박막을 제조하는 방법으로서,도판트 전구체를 이용하여 1 이상의 도판트 원자층을 적층하여 도핑영역층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 도핑영역층을 형성하는 단계는, 반응 챔버 내에 도판트 전구체를 펄스(pulse)하여 ALD사이클에 의해 상기 도판트 원자층을 적층하는 제1단계; 및박막 매트릭스 전구체를 펄스하여 ALD사이클에 의해 박막 매트릭스 원자층을 적층하는 제2단계를 포함하며,상기 제1단계 및 제2단계는 서로 상반된 순서로 진행될 수 있는 것이 특징인 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 ALD사이클은,반응 챔버 내에 도판트 전구체 또는 박막 매트릭스 전구체를 펄스하는 제a단계;상기 반응 챔버로부터 여분의 도판트 전구체 또는 박막 매트릭스 전구체를 제거하는 제b단계;상기 반응 챔버 내에 반응물을 펄스하는 제c단계; 및상기 반응 챔버로부터 여분의 반응물 및 반응 생성물을 제거하는 제d단계를 포함하는 것이 특징인 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 제1단계의 ALD사이클은 n번 수행되고,상기 제2단계의 ALD사이클은 m번 수행되며,상기 n과 m의 횟수를 조절하여 도핑 농도를 조절할 수 있는 것이 특징인 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 n:m은 1:1 내지 1:40인 것이 특징인 제조 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 제1단계 및 제2단계는 반복하여 수행되는 것이 특징인 제조 방법
17 17
제12항에 있어서, 상기 도판트 전구체 및 박막 매트릭스 전구체는 각각 서로 다른 금속 소스 화합물이며, 상기 금속은 Ti, Hf, Zr, Si, Al, Ta, Sr, Ba, Sc, Y, La, Eu 및 Dy로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 제조 방법
18 18
제12항에 있어서, 상기 도판트 전구체는 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminum, TMA)을 포함하고,상기 박막 매트릭스 전구체는 디에틸 아연(dietyl zinc, DEZ)을 포함하는 것이 특징인 제조 방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 제c단계의 반응물은 H2O, O2, O3, O 라디칼들, H2O2 및 D2O로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것이 특징인 제조 방법
20 20
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 복합박막을 구비한 것이 특징인 전자 소자
21 21
제20항에 있어서, 트랜지스터 또는 DRAM인 것이 특징인 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101991456 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2015060636 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2015060636 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발