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무기반도체 감응형 광전소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140299
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 효율을 가지며 저가의 원료로 대량 생산이 가능하여 광전소자의 상업화가 용이한 신규한 구조의 광전소자에 관한 것이다. 상세하게는, 태양광을 입력받아 광전자와 광정공을 생성하는 무기 반도체 광 흡수체의 표면 및 금속 산화물 전자전달체 위에 부분 또는 완전한 코팅층을 형성하는 디티올계 집게 모양의 쌍극자 분극층을 포함하여 구성되는 광전 소자이다. 본 발명에 따른 광전소자는 무기 반도체 광 흡수체에서 생성된 전하 운반자 (charge carrier)를 효과적으로 금속 산화물 전자 전달체에 전달해 줄 수 있어 고효율 광전소자를 제작 할 수 있는 특징이 있다.
Int. CL H01L 31/09 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110062524 (2011.06.27)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1246618-0000 (2013.03.18)
공개번호/일자 10-2013-0006954 (2013.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석상일 대한민국 대전광역시 유성구
2 임상혁 대한민국 대전광역시 유성구
3 김희중 대한민국 경기도 의정부시 호국로
4 이용희 대한민국 울산광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0490134-96
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0490757-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041903-79
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0512238-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0881115-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0881130-19
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0169762-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속산화물층, 광흡수체층, 하기 화학식 1 내지 3에서 선택되는 어느 하나이상의 화합물로 이루어지는 집게 모양의 쌍극자 분극층을 포함하는 광전소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 쌍극자 분극층은 금속산화물층, 광흡수체층 또는 금속산화물층 및 광흡수체층의 부분 또는 전부 도포하는 것을 특징으로 하는 광전소자
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 금속산화물층은 Ti산화물, Zn산화물, In산화물, Sn산화물, W산화물, Nb산화물, Mo산화물, Mg산화물, Zr산화물, Sr산화물, Yr산화물, La산화물, V산화물, Al산화물, Y산화물, Sc산화물, Sm산화물, Ga산화물, In산화물, SrTi산화물 및 이들의 복합물 중에서 하나 또는 둘 이상 선택되어 형성되는 광전소자
5 5
제 1항에 있어서,상기 광흡수체층은 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, PbTe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InAs, InGaAs, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InSb, Si, Ge, AlAs, AlSb, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2Te3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSx(1≤x≤2), In2S3, MoS, MoSe, Cu2S, HgTe, MgSe 및 이들의 합금에서 하나 또는 둘 이상 선택된 물질에 의해 형성되는 광전소자
6 6
제 1항, 제 2항 및 제 4항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 하나의 광전소자를 이용하는 근적외선 감지용 포토디텍터
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1 WO2013002517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013002517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013002517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013002517 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국화학연구원 부품소재기술개발사업 무기입자/유기물 복합체의 3차원 구조, 전자 특성 및 계면제어 기술(4차)
2 교육과학기술부 한국화학연구원 국제공동(협력)사업 나노구조 무/유기 하이브리드 소재를 이용한 고효율 태양전지 기술개발