실리콘 입자를 분쇄하여 실리콘 종 입자를 생산함에 있어서, 입경범위가 약 300∼3,000μm인 실리콘 입자들을 실리콘 입자 송입구(9)를 통해 분쇄실(2)내로 공급하고, 상기 분쇄실(2)의 하부에 설치된 제트분사 노즐(3)을 통해 제트분사 노즐 출구(3')에서의 속도가 약 300∼10,000m/sec 범위인 제트기류를 흘려 상기 제트분사 노즐(3) 근처에 위치한 실리콘 입자들을 가속, 상호 충돌시켜 분쇄하고, (a) 상기 분쇄실(2)내의 평균 가스 유속을 약 0

제1항에 있어서, 실리콘 종 입자의 입경은 100∼1,000μm 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법

제1항에 있어서, 제트분사 노즐(3)은 1 또는 2이상임을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법

제1항에 있어서, 실리콘 입자 송입구(9)를 제트분사 노즐 출구(3')와 같거나 낮은 위치의 높이에 설치하고, 실리콘 입자 호퍼(10)와 상기 실리콘 입자 송입구(9) 사이의 배관은 경사지게 하고, 상기 실리콘 입자 송입구(9) 측면의 배관에 별도의 송입량 조절용 가스라인(11)을 설치하여 이 가스라인을 통해 흐르는 가스 유량을 조절함으로써, 임의로 실리콘 입자의 공급속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법

제1항에 있어서, 분쇄실(2)과 제트분사 노즐(3)이 고순도 실리콘, 또는 고순도 실리콘으로 코팅된 재료인 것을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법

제1항에 있어서, 제트분사 노즐(3)에 의한 제트기류 외에 분쇄실(2)의 하부에 가스를 추가로 공급하여 분쇄실(2)내의 평균 가스 유속을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법