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초단파에의한유동층가열방법에의한고순도입상다결정실리콘의제조방법

  • 기술번호 : KST2015140355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화학 기상 증착 유동층 반응기에서 실리콘 원소를 함유하는 반응 가스의 열분해 또는 수소 환원 반응에 의해 실리콘을 석출할 때, 초단파 가열법으로 고순도 다결정 실리콘을 제조하는 방법을 제공한다.유동층을 분리 수단(13)에 의해 반응 영역(11)과 가열 영역(10)으로 분리 수단(13)에 의해 분리하고, 이 분리 수단을 양 영역의 유동화에 의해 실리콘 입자의 자유로운 상호 교환이 이루어지도록 구성하여 입상 다결정 실리콘(36)을 제조한다. 여기서 가열 영역의 실리콘 입자는 반응 가스가 포함되지 않는 캐리어 가스(8)에 의해 유동화시키고, 초단파(25)로 가열되며, 반응 영역에 있는 실리콘 입자는 공급 가스와 실리콘 원소를 함유하는 반응 가스(9)의 혼합 가스에 의해 유동화된다. 두 영역 사이에서 실리콘 입자들은 가열 영역 상부에서 자연스럽게 접촉되는데, 가열 영역에서 가열된 실리콘 입자와 반응 영역의 실리콘 입자들이 서로 격렬하게 섞이면서 효과적으로 열전달이 일어나 두 영역 사이의 온도차는 거의 미미해지고, 반응 영역의 반응 온도는 두 영역 사이에 있는 입자들의 상호 접촉과 복사 전열에 의해 유지된다. 따라서 반응 영역의 가열을 위해 초단파의 반응 영역으로의 직접 투사가 요구되지 않으며, 가열 영역에 공급되는 캐리어 가스의 유속은 가열 영역에서 초단파에 의해 가열된 실리콘 입자의 충분한 유동화와 반응 영역으로부터 반응 가스의 역류를 근본적으로 차단할 수 있는 범위 내에서 조절되어 진다. 이 결과 가열 영역으로 초단파가 공급되는 공급구 내벽면에서의 실리콘 석출 현상이 근본적으로 방지된다.
Int. CL C01B 33/021 (2006.01) C30B 28/14 (2006.01)
CPC C30B 28/14(2013.01) C30B 28/14(2013.01)
출원번호/일자 1019940008152 (1994.04.19)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0111744-0000 (1997.02.04)
공개번호/일자 10-1995-0029382 (1995.11.22) 문서열기
공고번호/일자 1019960014593 (19961016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.04.19)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희영 대한민국 대전직할시유성구
2 송영목 대한민국 대전직할시서구
3 전종열 대한민국 대전직할시유성구
4 권대혁 대한민국 대전직할시중구
5 이강모 대한민국 대전직할시서구
6 이재송 대한민국 대전직할시유성구
7 박동순 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이돈상 대한민국 경기도 용인시 기흥구 흥덕*로***번길 ** (영덕동, 흥덕마을*단지자연앤스위첸아파트) ***동 ***호(이돈상국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0037810-93
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0037811-38
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0037812-84
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1994-0037813-29
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0021304-76
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0021305-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유동층 반응기를 이용하는 일상 다결정 실리콘의 제조 방법에 있어서, 가스상 혹은 증기상의 실리콘원소 함유 가스가 반응 온도로 유지되는 전기 실리콘 입자 표면에 실리콘 금속을 석출하는 반응영역과 전지 실리콘 입자의 일부분을 전기 반응 온도 이상으로 가열하는 가열영역으로 전기 유동층 반응기를 분리하고 전기 반응영역에 전기 실리콘 원소를 포함하는 반응가스를 도입하므로 전기 반응영역에 있어는 전기 실리콘 입자를 유동화하고 전기 가열영역에 캐리어가스를 도입함으로서 전기 가열영역에 있는 실리콘 입자를 유동화하고 전기 가열영역에 초단파 에너지를 도입함으로서 전기 가열영역에 있는 전기 실리콘 입자를 가열하고 전기 반응영역의 전기 실리콘 입자와 전기 가열영역의 상부에 있는 전기 실리콘 입자가 혼합이 일어나므로서 전기 가열영역으로부터 전기 반응영역으로 열전달이 일어나고 전기 반응영역으로부터 가열영역으로 전기 반응가스의 역류를 근본적으로 방지하기 위하여 전기 가열영역에 전기의 캐리어가스의 속도를 조절하도록 하여서 된 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 전기 가열영역이 있는 전기 유동층 반응기에 적어도 한개 이상의 측면으로부터 초단파 에너지가 도입되므로서 전기 가열영역의 온도가 적어도 전기 반응 온도 이상으로 전기 실리콘 입자가 가열되는 것을 특징으로 하는 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 전기 유동층 반응기의 외벽면을 초단파의 투과 손실이 적은 재질로 된 보온 단열재로 보온하는 것을 특징으로 하는 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.