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청색발광성질화갈륨적층막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015140382
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화칼륨(Gallium Nitride, GaN)을 집광성 레이저광 여기(coherent laser aided vapour phase epitaxy, LVPE)방법에 의해 육방정계의 부루자이트(Wurtzite) 단결정 격자구조로 피복성장시키는 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 기판위에 질화알루미늄(Aluminum nitride, AIN)완충막을 인시츄(in-situ)방법에 의해 도입하고 갈륨 함유 반응물과 질소함유 반응물을 약 800℃의 낮은 온도와 0.1~3.8torr의 낮은 증기압하에서 공명적 에너지 광분해 증착법에 의해 단결정 두께 2~20μm를 갖는 청색 발광성 질화갈륨 적층막(epitaxial film)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01)
CPC C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1019940020711 (1994.08.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0007835 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이선숙 대한민국 대전직할시중구
2 황진수 대한민국 대전직할시대덕구
3 정필조 오스트레일리아 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허상훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, 우리종합금융빌딩 **층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0093938-29
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0093939-75
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0093940-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0052909-04
5 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0052910-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1

이종의 기판상에서 집광성 레이저 여기(LVPE)에 의해 Ⅲ족 갈륨과 Ⅴ족 질소로 구성된 질화갈륨을 적층막으로 성장시키는 방법에 있어서 사파이어 기판위에 질화알루미늄 완충막을 인시츄(in-situ)로 증착시키고 그 위에 반응물과 파장공명적 광화학 반응을 일으키는 레이저 빔을 조사하여 질화 갈륨 적층을 증착시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서 상기 질화알루미늄은 200~300Å 두께로 증착시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

3 3

제1항에 있어서 상기 광화학 반응은 0

4 4

제1항에 있어서 상기 레이저 빔으로 193nmArF, 248nmKrF 또는 308nmXeCl 집광성 엑시머 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

5 5

제1항에 있어서 상기 반응물은 삼메틸갈륨과 암모니아를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

6 6

제1항에 있어서 상기 사파이어 기판은 a(1120)이면 m(1110)면, c(001)면 R(1012)면 또는 이들면에 대해 3~10° 기울어진 단결정을 사용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

7 7

제1항에 있어서 상기 질화알루미늄 완충막은 1100~1850℃ 온도에서 암모니아를 사용하며 제조되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

8 8

제1항에 있어서 상기 레이저 빔은 기판표면에 평행하게 조사하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

9 9

제1항에 있어서 상기 레이저 빔은 기판표면에 비스듬하게 조사하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

10 10

제1항에 있어서 상기 레이저 빔은 기판표면에 수직하게 조사하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

11 11

제1항에 있어서 상기 레이저 빔은 기판표면에 평행 그리고 수직하게 조사하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 적층막의 제조방법

12 12

제1항의 조사방법에 따른 2~3μm 두께의 육각형 결정구조를 갖는 청색발광성 질화갈륨 적층막

13 13

제12항에 있어서 상기 질화갈륨 적층막의 조성은 GamAlnNm(1-x)이고, 광증착된 표면층은 GamAlnNm(1-x)(이때, 0≤n≤m이고, 0≤x〈0

14
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP08078728 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU679277 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU679277 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU8038094 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU8038094 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 DE4447177 DE 독일 DOCDBFAMILY
6 JP8078728 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JPH0878728 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.