맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

공액 고분자 화합물을 이용한 전기발광소자의 제조법

  • 기술번호 : KST2015140405
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ITO 투명 전극 상에 하기 화학식 1의 방향족 유기산 이무수물을 진공증착하고, 하기 화학식 2 또는 화학식 3의 π-공액 고분자 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 회전도포한 후, 음극으로 사용될 금속전극을 진공증착하여 발광효율을 증가시킨 전기발광소자의 제조법에 관한 것이다. 본 발명은, 또한 ITO 투명 전극 상에 하기 화학식 1의 방향족 유기산 이무수물을 진공증착하고, 하기 화학식 2 또는 화학식 3의 π-공액 고분자 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 회전도포하고, 전자수송층을 하기 화학식의 Alq 또는 PBD로 진공증착한 후, 음극으로 사용될 금속전극을 진공증착하여 발광효율을 증가시킨 전기발광소자의 제조법에 관한 것이다.화학식 1위 식중, Ar는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페릴렌 또는 파이렌기 이다.화학식 2위 식 중,R1은 -H, -CH3, -CN기 이고,R2는 -(CH2)nCH3 (여기서, n=1~9),(여기서, n=0~8) 또는-(OCH2CH2)n-OCH3 (여기서, n=1~10)기 이며, x는 20~250 이다.화학식 3위 식 중, Ar'는 또는 기 이다.여기서, R3는 -(CH2)nCH3 (여기서, n=0~7)기 이고,R4는 -(CH2)nCH3 (여기서, n=0~7) 또는기 이며, x는 20~250 이다.PBD본 발명에 의한 전기발광소자는 평판 표시소자, 태양전지 소자, 광 센서 등에 매우 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL H05B 33/14 (2006.01)
CPC H01L 51/0065(2013.01) H01L 51/0065(2013.01) H01L 51/0065(2013.01)
출원번호/일자 1019970045389 (1997.09.01)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0216930-0000 (1999.06.02)
공개번호/일자 10-1999-0024361 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (19990901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.01)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김은경 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성구 대한민국 서울특별시 성동구
3 이창진 대한민국 대전광역시 유성구
4 이서봉 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 서초구 방배천로**길 *, *층 대양국제특허법률사무소 (방배동, 인성빌딩)
2 김윤배 대한민국 서울특별시 종로구 우정국로 ** 동덕빌딩 *층(세한국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 한국화학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144004-01
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144002-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.01 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144003-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009784-12
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0173015-98
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0089084-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0007135-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056808-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.05 수리 (Accepted) 4-1-2002-0056800-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

ITO 투명 전극 상에 하기 화학식 1의 방향족 유기산 이무수물을 진공증착하고, 하기 화학식 2 또는 화학식 3의 π-공액 고분자 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 회전도포한 후, 음극으로 사용될 금속전극을 진공증착하여 발광효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조법

2 2

ITO 투명 전극 상에 하기 화학식 1의 방향족 유기산 이무수물을 진공증착하고, 하기 화학식 2 또는 화학식 3의 π-공액 고분자 화합물을 유기용매에 용해시킨 용액을 회전도포하고, 전자수송층을 하기 화학식의 Alq 또는 PBD로 진공층착한 후, 음극으로 사용될 금속전극을 진공증착하여 발광효율을 증가시키는 것을 특징으로하는 전기발광소자의 제조법

3 3

제 I항 또는 제 2항에 있어서, 유기용매가 클로로포름 또는 테트라하이드로푸란인 것을 특징으로 하는 전기발광소자의 제조법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.