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카르복시산 유도체를 이용한 저온 수계 ＣＩ(Ｇ)Ｓ(ＣｕＩｎｘＧａ１­ｘＳｅ2) 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140540
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양광을 이용한 태양전지의 광흡수층 물질로 널리 사용되고 있는 CI(G)S(CuInxGa1-xSe2; 0＜x≤1)나노입자의 제조방법에 관한 것으로 본 발명은 고가이면서 유해성이 강한 용매를 사용하지 않고, 수계용매와 카르복시산 유도체를 이용하는 환경친화적 제조방법이며, 고온의 반응온도를 필요로 하지 않으므로 CI(G)S나노입자의 제조단가를 최저로 할 수 있는, 대량생산에 적합한 것을 특징으로 한다.CIGS나노입자 합성, 수계반응, 카르복시산, 저온저가공정
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C01G 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01)
CPC C01G 3/00(2013.01) C01G 3/00(2013.01) C01G 3/00(2013.01) C01G 3/00(2013.01) C01G 3/00(2013.01) C01G 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020090082043 (2009.09.01)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1164797-0000 (2012.07.05)
공개번호/일자 10-2011-0024157 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이두형 대한민국 대구광역시 수성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
4 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
5 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
6 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
7 최영민 대한민국 대전광역시 서구
8 류병환 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0538499-90
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655920-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023204-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0238734-72
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0506699-89
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0598470-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0688529-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0688472-45
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0190491-03
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0337700-63
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0337706-36
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0317552-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
(a) 구리 화합물과, 하기 화학식 1의 카르복시산을 구리화합물 중량에 대하여 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 화학식 1의 카르복시산은 모노-카르복시산, 디-카르복시산, 트리-카르복시산, 테트라카르복시산 및 아미노산으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 카르복시산은 트리나트륨시트르산, 트리암모늄시트르산, 시트르산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴, 아스파트산, 벤질아스파르트산, 시스테인, 글루탐산, 글루타민, 글리신, 히스티딘, 이솔루신, 루신, 리신, 메티오닌, 오르니틴, 페닐알라닌, 프롤린, 세린, 트레오닌, 트립토판, 티로신 및 발린으로부터 선택되는 1종 이상의 카르복시산 유도체로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계에서 화학식 1의 카르복시산의 투입량은 구리화합물의 투입량에 대하여, 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계의 셀레늄화합물은 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3), 알킬셀레나이드(알킬=메틸 또는 에틸), 나트륨셀레나이드 및 암모늄셀레나이드 로부터 선택되는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 셀레늄화합물은 셀레노아황산나트륨인 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계의 수계용매는 물, 알코올, 또는 이들의 혼합물을 이용하는 것을 포함하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계의 구리화합물 및 인듐화합물은 구리 또는 인듐을 포함하는 아세트산염, 질산염, 탄산염, 황산염, 염화물, 요오드화물, 브롬화물, 산화물, 수산화물 및 과염소산염으로부터 선택되는 1종 이상인 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 구리화합물, 인듐화합물 및 셀레늄화합물은 금속환산으로 구리, 인듐, 및 셀레늄의 몰비가 1:1:2 가 되도록 공급하는 것을 특징으로 하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 구리 1몰에 대하여 인듐과 갈륨이 x:1-x (0＜x＜1)가 되도록 갈륨을 더 투입하는 것을 포함하는 수계 CI(G)S 나노입자의 제조방법
11 11
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1 KR101116404 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2011028011 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2011028011 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부/지식경제부 한국화학연구원/한국화학연구원 협동연구사업/전략기술개발사업 용액화학기반형 저가,고효율 CIGS 박막 태양전지 소재 및 잉크 기술개발/다이렉트 나노패터닝용반도체 잉크소재 개발