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하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물: 화학식 1 Si(OtBu)2(OCR 1 R 2 CH2NR3 2)2 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬이다
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제 1 항에 있어서, R1, R2 및 R3가 각각 독립적으로 CH3, C2H5 및 CH(CH3)2 중에서 선택된 알킬기임을 특징으로 하는 실리콘 착화합물
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하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 실리콘 착화합물의 제조 방법: 화학식 2 SiCl2(O t Bu)2 화학식 3 MOCR 1 R 2 CH2NR3 2 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 제 1 항에서 정의한 바와 같고, M은 알칼리 금속이다
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제 1 항에 따른 실리콘 착화합물을 선구 물질로서 사용하여 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막을 성장시키는 방법
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제 4 항에 있어서, 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의해 박막을 성장시킴을 특징으로 하는 방법
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제 4 항에 있어서, 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의해 박막을 성장시킴을 특징으로 하는 방법
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