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실리콘(Ⅳ) 착화합물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140580
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 새로운 실리콘 착화합물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 실리콘에 디알킬아미노기가 배위된 착화합물은 열적으로 안정하고 공기 중에서도 안정하며 휘발성이 높고 CVD에 의한 박막 형성시 탄소나 할로겐 오염을 일으키지 않아 양질의 실리콘 또는 실리콘 산화물 박막을 제조하는데 유리하게 이용될 수 있다. <화학식 1> Si(OtBu)2(OCR 1 R 2 CH2NR3 2)2 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬이다.
Int. CL C07F 7/02 (2006.01)
CPC C07F 7/025(2013.01) C07F 7/025(2013.01) C07F 7/025(2013.01)
출원번호/일자 1020040104923 (2004.12.13)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0590052-0000 (2006.06.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
2 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
3 김윤수 대한민국 대전광역시 유성구
4 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
5 박미현 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 이현실 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2004-0586152-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2006-0011248-26
4 등록결정서
Decision to grant
2006.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0232589-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 착화합물: 화학식 1 Si(OtBu)2(OCR 1 R 2 CH2NR3 2)2 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 C1-C4 선형 또는 분지형 알킬이다
2 2
제 1 항에 있어서, R1, R2 및 R3가 각각 독립적으로 CH3, C2H5 및 CH(CH3)2 중에서 선택된 알킬기임을 특징으로 하는 실리콘 착화합물
3 3
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 화학식 1의 실리콘 착화합물의 제조 방법: 화학식 2 SiCl2(O t Bu)2 화학식 3 MOCR 1 R 2 CH2NR3 2 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 제 1 항에서 정의한 바와 같고, M은 알칼리 금속이다
4 4
제 1 항에 따른 실리콘 착화합물을 선구 물질로서 사용하여 실리콘 박막 또는 실리콘 산화물 박막을 성장시키는 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의해 박막을 성장시킴을 특징으로 하는 방법
6 5
제 4 항에 있어서, 금속 유기물 화학 증착법 (MOCVD)에 의해 박막을 성장시킴을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.