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산 또는 염기 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지

  • 기술번호 : KST2015140609
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산 또는 염기 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하기 화학식 1의 반복 단위를 갖고, 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지에 관한 것이다.[화학식 1]본 발명의 수소이온 전도성 고분자는 비교적 낮은 도핑율 및 도핑 시간에도 불구하고 높은 이온전도도를 가지고, 90 ℃ 이상의 고온에서 도핑된 산 또는 염기의 누출현상 없이 높은 이온전도도를 나타낸다. 수소이온 전도성 고분자, 고분자막, 연료전지, 도핑, 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리이미드
Int. CL H01M 8/10 (2016.01.01) H01M 8/02 (2016.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020050006791 (2005.01.25)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0706067-0000 (2007.04.04)
공개번호/일자 10-2006-0085846 (2006.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.25)
심사청구항수 56

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영무 대한민국 서울 서초구
2 박호범 대한민국 서울 성동구
3 이창현 대한민국 서울 성동구
4 정철호 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이봉진 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
2 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0043502-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0213200-11
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0367733-10
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0505004-48
5 의견서
Written Opinion		 2006.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0505005-94
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0653520-14
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0816523-38
8 의견서
Written Opinion		 2006.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0816504-71
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0180192-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 반복 단위를 갖고, 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자:[화학식 1](상기 화학식 1에서,Ar은 4개의 공유결합을 가지고 치환되지 않거나 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 24의 단일 방향족 탄소환; 2개 이상의 방향족 탄소환으로 이루어진 방향족 라디칼; 4개의 공유결합을 가지고 치환되지 않거나 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기 중 하나 이상으로 치환되고, 방향족 탄소환의 탄소는 S, O 및 N 중 하나 이상의 이종원자로 치환된 5 내지 24개의 원자로 이루어진 단일 방향족 탄소환; 또는 2개 이상의 방향족 탄소환으로 이루어진 방향족 라디칼로, 상기 2개 이상의 방향족 탄소환은 서로 축합 및/또는 공유결합되어 있거나, O, S,(CH2)n', (CF2)n', CH(OH), C(O), C(O)NH, S(O)2, C(CH3)2, C(CF3)2 및 Si(CH3)2 중 하나 이상의 작용기에 의해 결합되어 있으며, 이때 3개 이상의 방향족환이 작용기들에 의하여 결합되어 있는 경우 상기 작용기들은 서로 상이할 수 있고, X는 중에서 선택되고,Y'는 O 또는 S이고,n'는 1 내지 4의 값을 갖고, n은 중합도로서 20 내지 200의 값을 갖는다
2 2
하기 화학식 2의 반복 단위를 갖고, 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자:[화학식 2](상기 화학식 2에서,Ar, Y', n은 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같다
3 3
제1항 또는 제2항에서, 상기 산은,황산, 염산, 인산, 질산, 브롬산(HBrO3), 과염소산(HClO4), 헥사플루오로인산(HPF6), HBF6, 및 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 양이온(BMIM+)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
4 4
제1항 또는 제2항에서, 상기 염기는,수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화리튬, 수산화세슘, 수산화암모늄, 이미다졸, 피라졸, 및 1,3-디아자바이시클로 옥탄(1,3-diazabicyclo octane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
5 5
제1항 또는 제2항에서, 상기 산 또는 염기는,상기 수소이온 전도성 고분자에 적어도 10몰% 이상 도핑되는 것을 특징으로 하는 산 또는 염기 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
6 6
제1항 또는 제2항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
7 7
제6항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
8 8
제1항 또는 제2항에서, 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
9 9
제8항에서, 상기 수소이온 전도성 무기물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
10 10
제1항 또는 제2항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
11 11
제10항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
12 12
제1항 또는 제2항에서, 상기 수소이온 전도성 고분자의 분자량은,10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
13 13
제1항 또는 제2항에서, 상기 Ar은,중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
14 14
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 반응시켜 폴리아믹산을 제조한 후 건조, 열경화시켜 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; (2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
15 15
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 반응시켜 폴리아믹산을 제조한 후 건조, 열경화시켜 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; (2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 2로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
16 16
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 용액상에서 80 내지 200 ℃에서 4 내지 24시간 동안 반응시켜 열적 용액 이미드화 방법으로 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계;(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
17 17
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 용액상에서 80 내지 200 ℃에서 4 내지 24시간 동안 반응시켜 열적 용액 이미드화 방법으로 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; (2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 2로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
18 18
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 30 내지 100 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 화학적 이미드화 방법으로 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; (2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
19 19
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 30 내지 100 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 화학적 이미드화 방법으로 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; (2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하여 하기 화학식 2로 표시되는 고분자를 제조하는 단계; 및 (3) 상기 고분자를 산 또는 염기로 도핑하는 단계를 포함하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
20 20
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 산은, 황산, 염산, 인산, 질산, 브롬산(HBrO3), 과염소산(HClO4), 헥사플루오로인산(HPF6), HBF6, 및 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 양이온(BMIM+)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
21 21
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 염기는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화리튬, 수산화세슘, 수산화암모늄, 이미다졸, 피라졸, 및 1,3-디아자바이시클로 옥탄(1,3-diazabicyclo octane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
22 22
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 산 또는 염기는, 상기 수소이온 전도성 고분자에 적어도 10몰% 이상 도핑되는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
23 23
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
24 24
제23항에서, 상기 무기산화물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
25 25
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
26 26
제25항에서, 상기 수소이온 전도성 무기물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
27 27
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
28 28
제27항에서, 상기 무기산화물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
29 29
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
30 30
제29항에서, 상기 무기산화물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
31 31
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
32 32
제31항에서, 상기 수소이온 전도성 무기물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
33 33
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
34 34
제33항에서, 상기 무기산화물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
35 35
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 수소이온 전도성 고분자의 분자량은 10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
36 36
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 Ar은,중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 수소이온 전도성 고분자 제조방법
37 37
하기 화학식 8로 표시되는 벤즈옥사졸, 하기 화학식 9로 표시되는 벤즈시아졸, 하기 화학식 10으로 표시되는 피롤론, 하기 화학식 11로 표시되는 벤즈이미다졸, 하기 화학식 12로 표시되는 벤즈옥사졸, 하기 화학식 13으로 표시되는 벤즈시아졸, 하기 화학식 14로 표시되는 피롤론, 및 하기 화학식 15로 표시되는 벤즈이미다졸로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 단량체가 공중합되고, 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
38 38
제37항에서, 하기 화학식 16으로 표시되는 옥사디아졸, 하기 화학식 17로 표시되는 퀸옥살린, 하기 화학식 18로 표시되는 시아디아졸, 하기 화학식 19로 표시되는 퀴놀린, 하기 화학식 20으로 표시되는 테트라피렌, 하기 화학식 21로 표시되는 옥사졸, 하기 화학식 22로 표시되는 시아졸, 하기 화학식 23으로 표시되는 이미다졸, 하기 화학식 24로 표시되는 피리딘, 및 하기 화학식 25로 표시되는 피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 단량체가 더욱 공중합된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
39 39
제37항에서, 으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 단량체가 더욱 공중합된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
40 40
제37항에서, 상기 산은,황산, 염산, 인산, 질산, 브롬산(HBrO3), 과염소산(HClO4), 헥사플루오로인산(HPF6), HBF6, 및 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 양이온(BMIM+)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
41 41
제37항에서, 상기 염기는,수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화리튬, 수산화세슘, 수산화암모늄, 이미다졸, 피라졸, 및 1,3-디아자바이시클로 옥탄(1,3-diazabicyclo octane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
42 42
제37항에서, 상기 산 또는 염기는,상기 수소이온 전도성 고분자에 적어도 10몰% 이상 도핑되는 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
43 43
제37항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
44 44
제43항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
45 45
제37항에서, 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
46 46
제45항에서, 상기 수소이온 전도성 무기물의 함량은, 상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
47 47
제37항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 수소이온 전도성 무기물이 도입된 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
48 48
제47항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 수소이온 전도성 고분자 100 중량부에 대하여 0
49 49
제37항에서, 상기 수소이온 전도성 고분자의 분자량은,10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
50 50
제37항에서, 상기 Ar은,중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산 또는 염기로 도핑된 미세다공성을 갖는 수소이온 전도성 고분자
51 51
제1항 또는 제2항에 의한 수소이온 전도성 고분자를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 고분자막
52 52
제51항에서, 상기 고분자막은 평막(film) 또는 중공사(fiber)인 것을 특징으로 하는 고분자막
53 53
제1항 또는 제2항에 의한 수소이온 전도성 고분자를 이용하여 제조된 고분자막을 채용하여 제조된 것을 특징으로 하는 연료전지
54 54
제37항 내지 제50항 중 어느 한 항에 의한 수소이온 전도성 고분자를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 고분자막
55 55
제54항에서, 상기 고분자막은 평막(film) 또는 중공사(fiber)인 것을 특징으로 하는 고분자막
56 56
제37항 내지 제50항 중 어느 한 항에 의한 수소이온 전도성 고분자를 이용하여 제조된 고분자막을 채용하여 제조된 것을 특징으로 하는 연료전지
57 56
제37항 내지 제50항 중 어느 한 항에 의한 수소이온 전도성 고분자를 이용하여 제조된 고분자막을 채용하여 제조된 것을 특징으로 하는 연료전지
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