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트랜지스터의 문턱전압 변화를 보상한 비교기 및 보상회로

  • 기술번호 : KST2015140612
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비교기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비교기 내의 트랜지스터의 문턱전압 변화에 따른 오프셋을 보상한 비교기 및 그 보상 회로에 관한 것이다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 비교기는 제 1 입력단에 입력되는 제 1전압신호와 제 2 입력단에 입력되는 제 2전압신호를 비교하여 그에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 비교기에 있어서, 전류신호를 증폭하고 증폭된 전류 신호를 미러링하는 복수개의 트랜지스터와, 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 제 1입력단과 제 2입력단으로부터 입력된 각 전압신호에 상응하는 두 개의 전류신호를 미러링하는 사전 신호 증폭부; 사전 신호 증폭부로부터 출력된 전류신호에 의해 미러링되는 트랜지스터, 수신된 두 개의 전류신호를 증폭 및 비교하기 위한 트랜지스터 및 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 비교된 두 개의 전류신호에 상응하여 두 개의 전압신호를 출력하는 신호 비교부; 신호 비교부로부터 입력된 두 개의 전압 신호에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 논리 회로부를 포함한다. 커패시터, 비교기, 문턱전압, TFT, 미러링
Int. CL H03K 5/24 (2006.01.01) H03K 5/1536 (2006.01.01) H03F 3/45 (2006.01.01)
CPC H03K 5/2472(2013.01) H03K 5/2472(2013.01) H03K 5/2472(2013.01)
출원번호/일자 1020040110313 (2004.12.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0575027-0000 (2006.04.24)
공개번호/일자 10-2005-0013088 (2005.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20060428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유창식 대한민국 서울 성동구
2 이균렬 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0605912-23
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0000420-21
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0027824-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018236-97
6 등록결정서
Decision to grant
2006.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0221806-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 입력단에 입력되는 제 1전압신호와 제 2 입력단에 입력되는 제 2전압신호를 비교하여 그에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 비교기에 있어서, 전류신호를 증폭하고 증폭된 전류 신호를 미러링하는 복수개의 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 상기 제 1입력단과 제 2입력단으로부터 입력된 각 전압신호에 상응하는 두 개의 전류신호를 미러링하는 사전 신호 증폭부; 상기 사전 신호 증폭부로부터 출력된 전류신호에 의해 미러링되는 트랜지스터, 수신된 두 개의 전류신호를 증폭 및 비교하기 위한 트랜지스터 및 상기 트랜지스터 중 적어도 하나에 결합된 문턱전압 보상수단을 포함하여 비교된 두 개의 전류신호에 상응하여 두 개의 전압신호를 출력하는 신호 비교부; 상기 신호 비교부로부터 입력된 두 개의 전압 신호에 상응하는 하나의 전압 신호를 출력하는 논리 회로부 를 포함하는 오프셋을 보상한 비교기
2 2
제 1항에 있어서, 상기 보상수단은 상기 트랜지스터의 일단과 연결되는 전원부; 상기 전원부 및 상기 트랜지스터의 게이트와 일단이 연결되고 다른 일단은 접지와 연결되는 커패시터; 및 상기 커패시터에 검출기간 동안에는 상기 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하고, 구동시에는 상기 트랜지스터의 게이트로 상기 전압을 인가하는 수단 을 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋을 보상한 비교기
3 3
제 2항에 있어서, 상기 트랜지스터의 게이트로 문턱전압만큼의 전압을 인가하는 수단은 상기 전원부와 연결되는 경로에 위치하고 상기 커패시터에 전압을 인가하기 위해 제1 검출기간 동안 닫히는 제1스위치; 상기 인가된 전압을 상기 문턱전압만큼 방전하기 위해 접지와 연결되는 경로에 위치하여 제1 및 제2 검출기간 동안 닫히는 제2스위치; 및 상기 비교기의 구동을 위해 구동기간 동안 닫히는 제3스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋을 보상한 비교기
4 4
제 1항에 있어서, 상기 보상수단은 상기 사전 신호 증폭부와 상기 신호 비교부의 각 트랜지스터마다 구비되는 것을 특징으로 하는 오프셋을 보상한 비교기
5 5
제 1항에 있어서, 미러링을 수행하는 트랜지스터 및 상기 트랜지스터로부터 미러링되는 트랜지스터의 보상수단은 일단이 접지와 연결된 상기 두 개의 트랜지스터의 각 다른 일단과 연결되는 전원부; 상기 미러링을 수행하는 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제1커패시터; 상기 미러링되는 트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2커패시터; 및 상기 두 개의 커패시터 사이의 전류 경로와 전원부의 연결을 위한 스위치 를 포함하되, 미러링을 수행하는 트랜지스터쌍을 동시에 보상하는 것을 특징으로 하는 오프셋을 보상한 비교기
6 6
제 1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랜지스터는 Poly-Si TFT인 것을 특징으로 하는 오프셋을 보상한 비교기
7 7
미러링 하는 제1트랜지스터; 미러링 되는 제2트랜지스터; 일단이 접지와 연결된 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터의 각 다른 일단과 연결되는 전원부; 상기 제1트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 제1트랜지스터의 게이트와 연결되는 제1커패시터; 상기 제2트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 제2트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2커패시터; 및 상기 두 개의 커패시터 사이의 전류 경로에 상기 전원부를 연결하기 위한 스위치 를 포함하는 트랜지스터의 문턱전압 보상회로
8 7
미러링 하는 제1트랜지스터; 미러링 되는 제2트랜지스터; 일단이 접지와 연결된 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터의 각 다른 일단과 연결되는 전원부; 상기 제1트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 제1트랜지스터의 게이트와 연결되는 제1커패시터; 상기 제2트랜지스터의 문턱전압과 동일한 전압을 형성하기 위해 상기 전원부와 연결되며, 다른 일단에 상기 제2트랜지스터의 게이트와 연결되는 제2커패시터; 및 상기 두 개의 커패시터 사이의 전류 경로에 상기 전원부를 연결하기 위한 스위치 를 포함하는 트랜지스터의 문턱전압 보상회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.