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제1 영역과 제2 영역이 형성되고, 그 일측과 타측을 관통하는 직사각 형상의 관통홀이 형성된 케이스;
상기 제1 영역에 위치하며, 파라핀으로 제조되는 감속부;
상기 제2 영역에 위치하며, 보론카바이드로 제조되는 흡수부;
상기 제2 영역에서 상기 흡수부의 내부에 위치하며, 납으로 제조되는 차폐부; 및
상기 관통홀을 통과한 즉발감마선을 검출하여 선량을 측정하는 측정부
를 포함하는 즉발감마선 검출시스템
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매질로 양성자빔을 조사하는 제1 단계;
상기 매질의 내부에서 핵반응 되어 발생되는 즉발감마선이 상기 양성자빔의 경로를 기준으로 직각으로 경로가 형성되어 콜리메이션홀로 유입되는 제2 단계;
상기 콜리메이션홀로 유입되는 즉발감마선의 스펙트럼과 상기 콜리메이션홀 이외의 공간에서 오는 백그라운드 감마선 스펙트럼을 평가하는 제3 단계를 포함하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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제7항에 있어서,
상기 백그라운드 감마선을 줄이고 상기 즉발감마선의 수를 늘리도록 하여 양성자 선량급락지점을 결정하는 제4 단계를 더 포함하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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제7항에 있어서,
상기 콜리메이션홀로 유입되는 즉발감마선의 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '0'일 때 측정되는 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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10
제7항에 있어서,
상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 백그라운드 감마선 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '1'일 때 계산되는 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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11
제7항 또는 제10항에 있어서,
상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 백그라운드 감마선 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 총 감마선 스펙트럼에서 importance 값이 '0'일 때의 즉발감마선을 차감한 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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제7항에 있어서,
상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 총 감마선 스펙트럼을 측정하는 단계를 더 포함하되,
상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 총 감마선 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '1'일 때 측정되는 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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제7항에 있어서,
상기 양성자빔은 상기 매질로 수직으로 조사되며, 상기 조사된 이후에 상기 매질의 일정 깊이 간격으로 선별준위에 따라 상기 즉발감마선의 선량분포를 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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매질로 양성자빔을 조사하는 제1 단계와, 상기 매질의 내부에서 핵반응 되어 발생되는 즉발감마선이 상기 양성자빔의 경로를 기준으로 직각으로 경로가 형성되어 콜리메이션홀로 유입되는 제2 단계와, 상기 콜리메이션홀로 유입되는 즉발감마선의 스펙트럼과 상기 콜리메이션홀 이외의 공간에서 오는 백그라운드 감마선 스펙트럼을 평가하는 제3 단계, 상기 백그라운드 감마선을 줄이고 상기 즉발감마선의 수를 늘리도록 하여 양성자 선량급락지점을 결정하는 제4 단계를 포함하되,
상기 콜리메이션홀로 유입되는 즉발감마선의 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '0'일 때 측정되고, 상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 백그라운드 감마선 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '1'일 때 측정된 총 스펙트럼에서 importance 값이 '0'일때의 즉발감마선을 차감한 값이며, 상기 콜리메이션홀의 외측부에서의 총 감마선 스펙트럼은 상기 콜리메이션홀의 외측부에 형성되는 중성자 차폐재의 importance 값이 '1'일 때 측정되고, 상기 양성자빔은 상기 매질로 수직으로 조사되며, 상기 조사된 이후에 상기 매질의 일정 깊이 간격으로 선별준위에 따라 상기 즉발감마선의 선량분포를 산출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 즉발감마선 검출을 위한 선별준위 결정방법
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