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원통형 전극을 이용한 프로브 니들의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140991
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 칩이나 평판 디스플레이의 양·불량 여부를 검사하는데 사용되는 프로브 카드의 핵심 부품인 프로브 니들의 제조에 관한 것으로 프로브 니들의 팁 부위를 가공하는 기술이다. 알칼리성 용액내에서 전기화학적 에칭을 통해 프로브 니들로 사용되는 텅스텐 와이어를 가공하는 것으로, 본 발명에서는 음극 재료로 스텐레스 스틸로 제조된 원통형 전극을 사용하였다. 대칭성이 뛰어난 팁 가공을 위해 텅스텐 와이어를 원통형 전극의 중심에 얼라인시키며 전극의 일부를 대기중으로 노출시킴으로서 에칭시 발생되는 수소 가스로 인한 용액의 부피 팽창 효과를 이용해서 가공되는 팁의 길이를 제어할 수 있다.
Int. CL G01R 3/00 (2006.01.01) G01R 1/067 (2006.01.01)
CPC G01R 3/00(2013.01) G01R 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020020011173 (2002.03.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0833992-0000 (2008.05.26)
공개번호/일자 10-2003-0071913 (2003.09.13) 문서열기
공고번호/일자 (20080602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성군 대한민국 서울 성동구
2 최재웅 대한민국 서울특별시강서구
3 황길호 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2002-0062659-60
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2002.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-5059371-84
3 출원심사청구서
Request for Examination
2007.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0077259-34
4 등록결정서
Decision to grant
2008.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0097942-50
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-5027327-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
음극인 원통형 전극의 일부를 에칭 용액에 침적하고 나머지를 대기중에 노출시키는 단계; 양극인 텅스텐 와이어를 상기 원통형 전극의 중심에 정렬하고, 에칭 용액에 그 일부를 침적하고 나머지를 대기중에 노출시키는 단계; 및 전기화학적 방법으로 상기 텅스텐 와이어를 에칭 가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 니들의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 와이어를 전기화학적 방법으로 에칭가공하는 과정에서 발생하는 수소가스의 부피 팽창으로 인하여 상기 원통형 전극 내부에 존재하는 에칭 용액의 높이가 외부에 존재하는 에칭 용액의 높이보다 상승하는 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 음극인 원통형 전극의 재질이 스테인레스 강인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 양극의 재질이 베릴륨-구리, 팔라듐, 백금-이리듐, 텅스텐 또는 텅스텐-레늄인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 에칭 용액이 수산화나트륨 수용액인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 에칭 용액의 온도가 0 내지 70℃인 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 전기화학적 방법이 정전압방법인 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 정전압방법이 10 내지 15V의 정전압을 가하는 것임을 특징으로 하는 제조방법
9 8
제7항에 있어서, 정전압방법이 10 내지 15V의 정전압을 가하는 것임을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.