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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141091
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 기판, ii) 기판 위에 위치하고, 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들, 및 iii) 기판 위에 위치하고, 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들을 포함한다. 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경은 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경보다 크다. 태양 전지, 나노 구조체, 에칭, 도핑
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090056908 (2009.06.25)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1033028-0000 (2011.04.27)
공개번호/일자 10-2010-0138391 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20110509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.14)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 경기 안산시 상록구
2 정진영 대한민국 경기 안산시 상록구
3 지상원 대한민국 경기 안산시 상록구
4 엄한돈 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0385717-15
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0185007-29
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0185008-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0152430-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0289936-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0289937-71
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0214639-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 위치하고, 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들, 및 상기 기판 위에 위치하고, 상기 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들 을 포함하고, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경은 상기 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경보다 큰 태양 전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 나노 구조체는, 제1 도핑 영역 및 상기 제1 도핑 영역을 둘러싸는 제2 도핑 영역 을 포함하는 태양 전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 제2 나노 구조체를 상기 기판의 판면 방향으로 자른 단면의 직경은 상기 단면이 상기 기판의 판면에 가까워질수록 커지는 태양 전지
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2 도핑 영역은 순응적(conformal)으로 형성되는 태양 전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들은 규칙적으로 배열된 태양 전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들의 이격 거리는 6㎛ 내지 8㎛인 태양 전지
7 7
제5항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체의 높이는 8㎛ 내지 12㎛인 태양 전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 복수의 제2 나노 구조체들의 수는 상기 복수의 제1 나노 구조체들의 수보다 많은 태양 전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 나노 구조체의 직경은 1000nm 내지 2000nm인 태양 전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2 나노 구조체의 직경은 10nm 내지 100nm인 태양 전지
11 11
제1항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 상기 복수의 제2 나노 구조체들은 실리콘을 포함하는 태양 전지
12 12
제1항에 있어서, 상기 복수의 제2 나노 구조체들의 표면적의 합은 상기 복수의 제1 나노 구조체들의 표면적의 합보다 큰 태양 전지
13 13
모재를 제공하는 단계, 상기 모재 위에 복수의 개구부들이 형성된 마스크층을 형성하는 단계, 상기 개구부를 통하여 노출된 모재 위에 나노금속입자를 제공하는 단계, 상기 모재를 에칭하여 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계, 및 상기 복수의 제1 나노 구조체들에 도핑 영역을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 상기 모재의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경은 상기 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 상기 모재의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경보다 크고, 상기 제2 나노 구조체를 상기 모재의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 직경은 상기 단면이 상기 모재의 판면에 가까워질수록 커지는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 마스크층의 하부에 상기 복수의 제1 나노 구조체들이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 나노금속입자의 하부에 상기 복수의 제2 나노 구조체들이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제13항에 있어서, 상기 나노금속입자를 제공하는 단계에서 상기 나노금속입자는 은을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 모재를 수산화칼륨으로 에칭하는 태양 전지의 제조 방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들에 도핑 영역을 형성하는 단계는, 상기 복수의 제1 나노 구조체들을 스핀 온 도핑(spin on doping, SOD)하는 단계, 및 상기 스핀 온 도핑된 복수의 제1 나노 구조체들을 플라스마 이온 도핑(plasma ion doping, PID)하는 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들은 n형으로 도핑되는 태양 전지의 제조 방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 모재를 제공하는 단계에서, 상기 모재는 p형 실리콘을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
21 21
제13항에 있어서, 상기 모재의 배면 위에 후면 전계층을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 후면 전계층을 제공하는 단계는 상기 복수의 제1 나노 구조체들에 도핑 영역을 형성하는 단계와 동시에 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
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2 US20120097231 US 미국 FAMILY
3 WO2010150947 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 과학기술부 (재)한국산업기술재단 산학협력중심대학육성사업 (기술개발과제사업) 차세대 에너지 변환소자용 나노구조 표면 도핑 장비/ 공정개발