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산화아연 나노로드 - 그래핀 박막의 하이브리드 구조체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141136
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노로드 - 그래핀 박막의 하이브리드 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 하이브리드 구조체는 그래핀 박막과, 상기 그래핀 박막 위에 성장된 산화아연(ZnO) 나노로드를 포함한다. 본 발명에 따른 하이브리드 구조체 제조 방법에서는, 시트 형상의 그래핀 박막을 제조한 다음, 상기 그래핀 박막 위에 ZnO 나노로드를 수열 공정으로 성장시킨다.
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) C01G 9/02 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) C01B 32/186 (2017.01.01) C01B 32/194 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01)
출원번호/일자 1020090126343 (2009.12.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1212711-0000 (2012.12.10)
공개번호/일자 10-2011-0069560 (2011.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20121214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박원일 대한민국 서울특별시 노원구
2 이정민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0782342-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042154-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0466067-63
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0695100-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0695095-00
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0178503-81
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0421069-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0441421-92
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0441413-26
11 등록결정서
Decision to grant
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0647046-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0023943-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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(a)시트 형상의 그래핀 박막을 제조하는 단계; 및(b)상기 그래핀 박막 위에 ZnO 나노로드를 ZnO 씨드를 이용한 수열 공정으로 선택적 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 (a) 단계는,SiO2 기판 위에 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 그래핀 박막을 증착하는 단계;상기 그래핀 박막을 상기 SiO2 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 SiO2 기판으로부터 분리된 상기 그래핀 박막을 소자용 기판에 부착하는 단계를 포함하고,상기 소자용 기판은 ZnO 씨드층이 형성되어 있어,상기 (b) 단계는, 상기 그래핀 박막 위에 포토레지스트층을 도포한 후 홀을 패터닝하는 단계;상기 홀을 통해 상기 그래핀 박막을 식각하여 상기 ZnO 씨드층을 노출시키는 단계; 및ZnO를 성장시킬 수 있는 조성의 수용액 안에 상기 소자용 기판을 담가 상기 노출된 ZnO 씨드층으로부터 ZnO 나노로드를 선택적 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 구조체 제조 방법
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(a)시트 형상의 그래핀 박막을 제조하는 단계; 및(b)상기 그래핀 박막 위에 ZnO 나노로드를 ZnO 씨드를 이용한 수열 공정으로 선택적 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 (a) 단계는,SiO2 기판 위에 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 그래핀 박막을 증착하는 단계;상기 그래핀 박막을 상기 SiO2 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 SiO2 기판으로부터 분리된 상기 그래핀 박막을 소자용 기판에 부착하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계는, 상기 그래핀 박막 위에 포토레지스트층을 도포한 후 홀을 패터닝하는 단계;상기 포토레지스트층 위에 ZnO층을 형성한 다음 리프트 오프 공정을 적용하여 상기 그래핀 박막 위에 ZnO 씨드 패턴을 남기는 단계; 및 ZnO를 성장시킬 수 있는 조성의 수용액 안에 상기 소자용 기판을 담가 상기 ZnO 씨드 패턴으로부터 ZnO 나노로드를 선택적 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 구조체 제조 방법
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(a)시트 형상의 그래핀 박막을 제조하는 단계; 및(b)상기 그래핀 박막 위에 ZnO 나노로드를 수열 공정으로 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 그래핀 박막을 제조하는 단계는,그래파이트화 금속막이 형성된 기판을 챔버 내에 장입하는 단계;상기 챔버 내에서 상기 그래파이트화 금속막 및 기판 중 적어도 어느 하나에 전류를 흘려 그 때의 전열 효과에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 가열하는 단계;상기 그래파이트화 금속막이 가열되는 상태에서 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급하여 상기 그래파이트화 금속막 안에 탄소 성분을 고용시키는 단계; 상기 전류의 양을 조절하여 상기 그래파이트화 금속막을 제어된 속도로 냉각시킴으로써 상기 고용시킨 탄소 성분으로부터 상기 그래파이트화 금속막 표면에 그래핀을 석출시키는 단계; 및산처리에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 제거함으로써, 석출된 그래핀을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 구조체 제조 방법
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제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 CH4 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 구조체 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 그래핀을 석출시키는 동안 상기 그래파이트화 금속막의 냉각 속도는 초당 1 ~ 50℃인 것을 특징으로 하는 하이브리드 구조체 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 한양대학교 이공분야기초연구사업〉일반연구자지원사업〉기본연구지원사업〉기본연구지원사업(유형I) 저차원 나노구조체를 이용한 나노스케일 발열체 제조 및 응용